1、了解功率放大电路的主要性能指示 2、掌握甲类、乙类、甲乙类功放大电路的输出功率及效率的计算 3、理解集成功放电路的结构特点 4、掌握复合功放管的放大倍数的计算

◼ 自动控制系统的时域指标 ◼ 一阶系统的阶跃响应 ◼ 二阶系统的阶跃响应 ◼ 高阶系统的阶跃响应 ◼ 自动控制系统的代数稳定判据 ◼ 稳态误差 ◼ 小结

6.18位加法器的设计 1、设计思路 多位加法器的构成方式:并行进位 串行进位 并行进位:速度快、占用资源多 串行进位:速度慢、占用资源少

1. 掌握信号采集过程中触发的原理和作用，掌握基本的触发条件设置方法； 2. 掌握数字触发功能的设计方案及实现方法

一、概述 本实验系统主要由FPGA主芯片 (FLEX10K10LC84)和外围丰富的输入输出外 设构成。FPGA主芯片的所有用户可用IO口均没 有同任一外设固定接死,而仅仅以插孔的形式存 在,这为用此开发系统设计出复杂多样的实验提 供了极大的灵活性。 所有外设的接口逻辑都很友好,外设的驱动 已在系统内部为用户设计好,用户可以对所有外 设接口用简单的TTL逻辑电平进行操作

6.1 8位加法器的设计 6.2 8位乘法器的设计 6.3 序列检测器的设计 6.4 正负脉宽数控调制信号发生器的设计 6.5 数字频率计的设计 6.6 秒表的设计 6.7 MCS–51单片机与FPGA/CPLD总线接口逻辑设计 6.8 交通灯信号控制器的设计 6.9 语音信箱控制系统的设计 6.10 PID控制器的设计 6.11 空调系统有限状态自动机的设计 6.12 闹钟系统的设计

6.1 反馈的基本概念及判断方法 6.2 负反馈放大电路的四种基本组态 6.4 深度负反馈放大电路放大倍数分析 6.6 负反馈放大电路的稳定性 6.3 负反馈对放大电路的方框图 6.5 负反馈对放大电路性能的影响

报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果,并对量子点的结构特性进行了讨论.结果表明:多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势;随着InAs量子点层数的增加,量子点的密度下降,其尺寸随层数的增加趋向均匀.在试验条件下,5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理,其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成

一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

第五章数据的基本操作 5.1数据的添加、修改和删除 5.2简单查询 5.3连接查询 5.4子查询