一、选答题。下列各小题有四个备选答案,请选出其中一个最适合的答案,并将其序号填入试题的括号中。 1、操作性教学方法具有四大特点:(),特定内容的不可分割性,程序的固定性和操作性。 a、实践性 b、微观性 C、具体性 d、活动性 (正确答案:C)

1.算机系统中,CPU是指 A.内存储器和运算器 B.输入设备和输出设备 C.内存储器和控制器 D.控制器和运算器

第一节失真度和平均失真度 第二节信息率失真函数及其性质 第三节二元信源和离散对称信源的R(D)函数 第四节保真度准则下的信源编码定理 第五节联合有失真信源信道编码定理 第六节有失真信源编码定理的实用意义

L Matching: (20%) Directions: Read the essay below. The topic sentence of each paragraph is missing. Now look at the topic sentences a, b, c, d and e that followed the essay and match four of them with the paragraph

1.已知x(t)<(2),求x1(t)=x(3t-2)e-12的傅立叶变换X() 2.已知x(n)<2X1(z),x2(n)<2X2(z),求x(n)*x2(n)的Z变换X(z) 3.已知x(t)=u(t+1)-u(t-1),x(t)的频谱为X()求x()d2

I. Vocabulary and Structure: (45%) C. reminds meof D. reminds of Direction: Choose the best answer to complete each sentence given

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素