本文对GH220合金弯晶形成机制以及加入W、Mo、C、Ce（微量）等元素的作用进行了初步探讨。试验结果表明:对于GH220合金,慢速缓冷时形成弯晶为γ′机制;快速冷却和采用等温工艺时为碳化物机制。并摸索到上述各元素最佳含量范围,对生产有一定参考价值

鉴于你行向 （下称“借款人”）提供（币种） 贷款 （金额） （大写： ）（下称“贷款”）。 该借款合同（下称“合同”）编号为 。该贷款期限为 ， 利率为 ，用于 。本保证人已了解并同意“合同”所 有条款，应“借款人”要求，现本保证人同意为上述“贷款”全额担保，特此开立以 你行为受益人的无条件的、不可撤销的担保书，向你行保证如下：

1. 纯金属的结晶条件 2. 纯金属的结晶过程 3. 同素异构转变 4. 细化铸态金属晶粒的措施 2.2.1. 二元合金的结晶 2.2.2 合金的性能与相图的关系 2.2.3 铁碳合金的结晶

合同编号： 立合同单位： 借款方: （即抵押人，以下简称“甲方”） 贷款方: （即抵押权人，以下简称“乙方”） 现有甲方向乙方借款人民币（大写） 元，用于购买、建造自用住房， 售房单位为（售房单位全称）， 为维护甲乙双方利益，根据国务

建设项目 立合同单位： 借款方： 贷款方 中国人民建设银行 根据 ，经借款方申请，贷款方审查同意发放贷 款。为明确各方责任，恪守信用，特签订本合同，共同遵守

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

立合同单位： （简称借款方） 中国人民建设银行 行（简称贷款方） 根据国家规定，借款方为进行基本建设所需贷款，经贷款方审查同意发放。为 明确双方责任，恪守信用，特签订本合同，共同遵守

贷款方： 借款方： 双方共同遵守国务院颁发的《借款合同条例》，并签订此合同。 第一条 根据（项目计划批准机关及文号）

甲乙双方已相互介绍了涉及本合同主要内容的有关情况，在自愿平等和相互信 任的基础上，签定本合同，以便共同遵守。 第一条 乙方自愿申请到甲方从事律师工作，甲方决定聘乙方为本事务所律师

13.6 TTL集成门电路 13.7 其它类型的TTL门电路 13.8 组合逻辑电路的分析 13.9 组合逻辑电路的设计 13.10 集成组合逻辑电路