第一节 化学法 第二节 测定旋光度法 第三节 紫外光谱法 第四节 红外光谱法 第五节 NMR 波谱法 第六节 旋光光谱和圆二色散光谱 第七节 x-射线衍射法（略）

光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述,这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准 备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性

上海交通大学：《大学物理教程》课程电子教案（课件讲稿）第19章 光的偏振 19.1 偏振光与自然光

§20-1 光的相干性 §20-2 双缝干涉 空间相干性 §20-3 薄膜的等倾干涉 §20-4 薄膜的等厚干涉 §20-5 干涉仪 相干长度 §20-6 偏振光的干涉

一、外光电效应及器件： 1、外光电效应：在光线的作用下，物体内的电子吸收光的能量逸出物体表面向

《大学物理》课程PPT教学课件（二）第10章 光栅 光栅夫琅和费衍射 晶格衍射（X光衍射）

本章开始我们学习两个或两个以上价电子原子的光谱及原子结构情况。 内容提要： 1、第二族元素的光谱和能级 2、具有两个价电子的原子态L－S耦合 目的要求： 1、了解氦原子光谱和能级（正氦（三重态）、仲氦（单态））；镁原子光谱和能级 2、掌握L－S耦合，理解洪特定则、朗德间隔定则 重点难点： 1、L－S耦合 回主页

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

一、双折射的寻常光和非寻常光

第一、二节 热辐射 普朗克能量子假说 第三节 光电效应 爱因斯坦光量子理论 第四节 康普顿散射 第五节 光的波粒二象性