第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

重点与难点: 1、正弦波振荡发生的两个条件。 2、文氏桥(RC串并联)正弦波发生电路 3、LC正弦波发生电路及石英晶体正弦波发生电路 4、电压比较器的电路组成与工作原理

6.3.1 简单的集成电路运算放大器 6.3.2 通用型集成电路运算放大器

1、直流电源的组成 2、整流电路的结构、原理及性能指标 3、滤波电路的工作原理及性能指标 4、串联稳压电路的工作原理 5、开关稳压电路

5.1 功率放大电路的一般问题 5.2 乙类互补对称功率放大电路 5.3 甲乙类互补对称功率放大电路 5.4 集成功率放大器 5.5 功率器件

6.2.1 基本差分式放大电路 6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性

3.1 多级放大电路的耦合方式 3.3 直接耦合放大电路 3.2 多级放大电路的动态分析

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

2. 正弦稳态电路的分析； 3. 正弦稳态电路的功率分析； 1. 阻抗和导纳； 4. 串、并联谐振的概念；

3.1基本斩波电路 3.2复合斩波电路和多相多重斩波电路