3.4.1 BJT的小信号建模 3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析

3.5.1 温度对工作点的影响 3.5.2 射极偏置电路

1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定

1.1 PN结1 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 双极型三极管 1.5 场效应晶体管

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管， 本章重点介绍常用半导体器件的结构，伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

1.1PN结及二极管 1.2半导体三极管 1.3半导体场效应管 1.4场集成运算放大器

2-1 概述 2-2 二极管、三极管、MOS 管开关等效电路 2-3 最简单的与、或、非门电路 2-5 CMOS门电路 2-4 TTL门电路

2.1概述 2.2半导体二极管和三极管的开关特性 2.3最简单的与、或、非门电路 2.4TTL门电路 2.6CMO门电路

1.1 半导体基本知识 1.2 PN 结及半导体二极管 1.3 半导体三极管

4.5.1 共集电极放大电路 4.5.2 共基极放大电路 4.5.3 放大电路三种组态的比较