半导体二极管及基本电路 一、半导体的基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、二极管基本电路分析 五、特殊二极管

§3.1 场效应管 §3.2 场效应管放大电路静态工作点置计方法 §3.3 场效应管放大电路动态分析

3.4.1 BJT的小信号建模 3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析 • H参数的引出 • H参数小信号模型 • 模型的简化 • H参数的确定 • 利用直流通路求Q点 • 画小信号等效电路 • 求放大电路动态指标 3.4.0 放大电路模型

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

一、单项选择(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.若要求放大电路输入电阻低,且稳定输出电流,在放大电路中应引入的负反馈类型为

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.3 场效应管的高频等效模型 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿

3.1 负反馈的概念 3.2 负反馈的类型及分析方法 3.3 负反馈对放大电路的影响

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用