第一节树的类型定义 A为“根” T1、T2和T3都是一棵树,称为A的子树。 称根和子树根之间的连线为“分支” 结点分支的个数定义为“结点的度”,如结点B 的度为2,D的度为3

第二部分牛顿运动定律 第一讲牛顿三定律 一、牛顿第一定律 1、定律。惯性的量度 2、观念意义,突破“初态困惑” 二、牛顿第二定律 1、定律 2、理解要点 a、矢量性 b、独立作用性:f→a,Fx→a c、瞬时性。合力可突变,故加速度可突变与之对比:速度和位移不可突变);牛顿第二定律展示了加速度的决定式(加速度的定义式仅仅展示了加速度的“测量手段”)

2008年全国硕士研究生入学统一考试数学一试题 一、选择题:1~8小题,每小题4分,共32分,下列每小题给出的四个选项中,只有一 项符合题目要求,把所选项前的字母填在题后的括号内 (1)设函数f(x)=n(2+t)dt,则f(x)的零点个数() (A)0(B)1(C)2 (D)3

1、杂型合子黑色豚鼠(Bb)相互交配:(a)前三个后代依次为黑、白、黑或白、黑、白 的概率是多少?(b)在三个后代中是2黑和1白(不按顺序)的概率是多少?

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V