按照Ri的定义，在图2―33(b)电路的输 入端加一电压Ui，这时，从输入端看进去的电 阻为RB ‖rbe，因此Ri= RB

由晶体管的伏安特性曲线可知， 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时，其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态，即放大、截止和饱 和。在实际应用中，根据实现的功能不 同，可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此，在晶体管应用电路分 析中，一个首要问题，便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器

3.4小信号模型分析法 3.4.1BJT的小信号建模 1.H参数的引出 2.H参数小信号模型 3.模型的简化 4.H参数的确定 3.4.2共射极放大电路的小信号模型分析

3.1半导体三极管(BT) 3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数

自测题 一、(1)×(2)√(3)√×(4√(5)×(6)√ 二、(1)B(2)C(3)A(4)D 三、T1,R1、R2、R3,R、D2,T2、Rc,Ro

自测题 一、(1)√(2)×(3)×(4)× 二、(a)加集电极电阻R及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同铭端

一、(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)× 二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能 (c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真

自测题 一、(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√ 二、(1)AA(2)DA(3)BA(4)DB(5)CB 三、(1)BD(2)C(3)A(4)AC(5)B(6)C

一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻