2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

为做好3G引入前期的技术准备工作,进一步调动员工学习钻研3G技术的 积极性,最大限度地使员工掌握全面的3G相关技术知识,培养技术精、作风硬 的3G技术骨干队伍,不断提升中移动技术应用与创新的能力,增强企业核心竞 争力。在集团公司已经系统组织的3G技术知识培训基础上,集团公司技术部组 织相关部门编写了这本3G技术知识培训手册,便于全国的规划、建设、维护、 优化和支撑等技术人员进行3G技术知识的系统化学习同时,该手册也是作为 集团公司即将举办的3G技术知识竞赛的培训读本

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

一、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。 (1)运算电路中一般均引入负反馈。() (2)在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。() (3)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关 系。()

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3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

§7.1 集成运放组成的运算电路 §7.2 模拟乘法器及其在运算电路中的应用 §7.3 有源滤波电路

一、概述 二、集成运放中的电流源电路 三、集成运放电路分析 四、集成运放的主要性能指标 五、集成运放的种类

一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管