2.2 半导体器件的开关特性 2.3 分立元件门电路 2.4 TTL集成门电路 2.6 CMOS集成门电路

6.1 存储器 6.1.1 ROM (Read-Only Memory) 6.1.2 随机存取存储器 (RAM) 6.2 可编程逻辑器件（PLD) 6.2.1 可编程阵列逻辑(PAL) 6.2.2 通用阵列逻辑(GAL) 6.2.3 PLD的开发过程 6.3 VHDL语言 6.3.1 VHDL基本结构与语法 6.3.1.1 VHDL的组成 6.3.1.2 实体（Entity) 6.3.1.3 结构体 (Architecture) 6.3.1.4 程序包 (Package) 与 USE 语句 6.3.1.5 库 (Library) 6.3.1.6 VHDL运算符 6.3.1.7 数据对象 6.3.1.8 VHDL常用语句 6.3.1.9 元件及元件例化 6.3.1.10 配置 (configuration) 6.3.1.11 子程序 6.3.1.12 其他：属性、时钟的表示 6.3.1.13 VHDL的模板 6.3.1.14 常见错误 6.3.1.15 保留字

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结

1、计算机硬件:构成计算机的各种元件、器件和设备实物。 2、计算机软件:为应用计算机所编制的程序。 微机原理课程与其它课程的关系: 数字逻辑——计算机原理——计算机汇编语言——微机原理

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空 内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()

一 、判 断下列说 法是否正 确 ，用“ √ ”和“ ×”表示判断 结果填入 空内。 （ 1） 在 N 型半导 体中如果 掺入足够 量的三价 元素，可 将其改型 为 P 型半导体。（ ）

1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件