一、生产过程 由于观察的角度与考虑的范围不同,生产过程可分为两种:一是产品的生产过程,二 是企业的生产过程

一、描述机翼平面形状的几何参数 二、机翼平面形状设计时所考虑的因素 三、几何参数对气动特性和结构重量的影响 四、机翼平面形状的几何参数的确定

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

一、解答下列各题 (本大题共3小题,总计13分) 1、(本小题4分) 证明:f(x)= arctanx在[0,1]上连续,在(0,1)可导 即f(x)在[0,1]上满足拉格朗日中值定理的条件 4分 又f(x)=、1

产科麻醉特点： 生理改变显著 并发疾患威胁母子安全，麻醉管理困难 全面考虑母子影响，力求简单、安全 急症手术 呕吐误吸是产妇死亡的主要原因之一 做好新生儿复苏准备。 第一节 麻醉药对母体与胎儿影响 第二节 胎儿及新生儿药物代谢特点 第三节 产科手术的麻醉 第四节 剖宫产手术麻醉常见并发征及处理 第五节 新生儿窒息与急救

一、选择题(每题3分。请将答案的序号填入划线内) 1.正方体仅受两个力偶作用,该两力偶矩矢等值、反向,即M1=M2,但不共线,则正方体 ①平衡; ②不平衡; ③因条件不足,难以判断是否平衡