§7.1 概述 §7.2 基本运算电路 §7.3 模拟乘法器及其在运算电路中的应用 §7.4 有源滤波器 §7.5 电子信息系统预处理中所用放大器

1.验证单相桥式整流及加电容滤波电路中输出直流电压与输入交流电压之间的关系，并观察它们的波形。 2.学习测量直流稳压电流的主要技术指标。 3.学习集成稳压块的使用。 4.练习示波器和晶体管毫伏表的使用

第一章 常用半导体器件 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第二章 基本放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第三章多级放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第四章 集成运算放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第五章 放大电路的频率响应 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第六章 放大电路中的反馈 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第七章 信号的运算和处理 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第八章 波形的发生和信号的转换 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第九章 功率放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第十章 直流电源 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

）为方便计算和解决环形网络变压器变比不匹配，造成参数难以归算的问题，对变压器 采用非标准变比的变压器等效电路---- 型等效 电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

10.1晶闸管的结构和工作原理 10.2单相可控整流电路 10.3晶闸管的触发电路 10.4晶闸管的保护 10.5双向晶闸管简介 10.6晶闸管应用实例

在正弦信号激励下电路的稳态响应是电路理 论中的重要课题,这是因为正弦信号比较容 易产生和获得,在科学研究和工程技术中, 许多电气设备和仪器都是以正弦波为基本信 号的。 根据富里叶级数和富里叶积分的数学理论, 周期信号都能够分解为一系列正弦信号的迭 加。利用线性电路的迭加性,可以把正弦稳 态分析的方法推广到非正弦周期信号激励的 线性电路中去。因此也可以说,知道了正弦 稳态响应后,原则上就知道了任何周期信号 激励下的响应

重点：讨论影响放大电路频率响应的因素、研究频率响应的必要性、求解单管放大电路下限频率、上限频率和波特图的方法、多级放大电路的频率参数与各级放大电路频率参数的关系。难点：如何理解在分析下限频率时结电容相当于开路,而分析上限频率时将耦合电容和旁路电容相当于短路；为什么截止频率决定于电容所在回路的时间常数；如何求解电容所在回路的等效电阻；如何根据波特图写出放大倍数的表达式和根据放大倍数的表达式画出波特图等等

1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点 1.2 不可控器件——电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.5 其他新型电力电子器件 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.5.2 静电感应晶体管SIT 1.5.3 静电感应晶闸管SITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.5.5 功率模块与功率集成电路 1.6 电力电子器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 1.8 电力电子器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点