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一、选择题(共3题15分) 1.5分(4181) 4181在298K时,下述电池电动势为0.456V, Ag+Agl(s)KI(0.02 mol. kg, y+=0.905)KOH0.05 mol. kg+=0.820)Ag2O(s)Ag(s)当电池反应进行至电子传输量为1mol时,这时电池反应的平衡常数为:() (A)5.16×107 (B)1.9×10-8 (C)1.17×10 (D)1.22×10
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6.1 芳香性的概念和芳香化合物的定义 6.2 芳香烃的来源 6.3 苯及其衍生物的命名和异构 6.4 芳香烃的物理性质和光谱特征 6.5 苯表达方式的研究和讨论 6.6 苯的芳香性(共七条) 6.7 苯环上取代反应的定位效应及反应活性
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2.1 连锁聚合概述 2.2 连锁聚合的单体 (Monomer for Chain Polymer) 2.3 自由基聚合机理 (Mechanism of Polymerization) 2.4 链引发反应(Initiation Reaction of Chain)——控制聚合速率的关键 2.5 聚合速率(rate of Polymerization) 2.6 分子量和链转移反应 Molecular Wight and Chain Transfer 2.7 阻聚和缓聚(Inhibition and Retardation) 2.8、分子量分布(molecular weight distribution MWD) 2.9 聚合热力学 2.10 聚合方法(Polymerization Process)
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3.5.1 设计方程 3.5.2 变温操作的操作方程 3.6 反应器型式与操作方法的评选 3.6.1单一反应的评选 3.6.2复合反应
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①明确电动势与ΔG的关系,熟悉电极电势的一套符号惯例,了解在教科书上或文献上还有哪些惯例。 ②对于所给的电池能熟练,正确地写出电极反应和电池反应并能计算其教学目的和/电动势
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Chapter 6 Ionic Reactions--- Nucleophilic substitution and elimination reactions of alkylhalides (卤代烃的亲核取代反 Because halogen atoms are more electronegative 应和消除反应) than carbon, the carbon-halogen bond of alkyl halides is polarized; the carbon atom bears a partial positive charge, the halogen atom a partial negative charge
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Serine proteases : to promote a reaction that is almost immeasurably slow at neutral pH in the absence of a catalyst. 将pH 7.0几乎不发生 的反应(蛋白质水解)进行下去 -Carbonic anhydrases: to achieve a high absolute rate of reaction,suitable for integration with other rapid physiological processes. 加速以与其他快速生理过程融合 -Restriction endonucleases, to attain a high degree of specificity.实现 酶切反应的高度特异性 - NMP kinases: to transfer a phosphoryl group from AT P to a nucleotide and not to water.磷酸基团从ATP转移给另一个核苷酸(而不 会转移到水分子)
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一、教学方案 ①明确电动势与AG的关系,熟悉电极电势的一套符号惯例,了解在教科书上或文献上还有哪些惯例; ②对于所给的电池能熟练,正确地写出电极反应和电池反应并能计算其电动势;
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在TiCl4-NH3-H2体系中,TiN的沉积温度通常在650-950℃,本研究采用TiCl4+H2与NH3+H2两种混和气体,可使TiN的沉积温度降低到500℃。所得TiN的硬度HV0.1=17.67kN·m m-2、a=0.4234nm,550℃时硬度HV0.1=18.91kN·mm-2,580℃ HV0.1=20.36kN·mm-2,而其颜色则依次由紫黄变为黄色。350℃部生成TiNCl。TiNCl在402℃开始分解,到800℃分解完毕,其分解反应的表观活化能为131kJ/mol。TiN生成反应表现活比能为67.3kJ/mol
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本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
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