首先根据首钢京唐钢铁公司烧结生产数据进行系统的硫平衡计算,分析各种烧结原料对废气中SO2排放量的影响权重,并在此基础上作合理假设,结合国家标准对于不同烧结机SO2排放量的统一计量方法,推导出烧结原料硫含量与SO2排放量判定指标的关系式,建立低硫烧结原料控制标准.首钢京唐钢铁公司烧结生产若要满足500mg·m-3的SO2质量浓度限值,需要将混合料中硫的质量分数降至0.032%以下;若要满足 200 mg·m-3 的SO2质量浓度限值,需要将混合料硫的质量分数降至0.013%以下,而这在当前的原料条件下是难以实现的

《数据库系统》课程参考资料：DB2 SQL指南 IBM DB2 Universal Database SQL Reference Volume 2 Version 8（2/2）

§2－1 立体及其表面上的点与线 §2－2 平面与平面立体表面相交 §2－3 平面与回转体表面相交 §2－4 两回转体表面相交

调查了使用不同氟含量保护渣时连铸二冷水中F-质量浓度的变化，并在实验室研究了保护渣组分及保护渣在水中的浸泡时间对水浸液中F-质量浓度的影响．研究结果表明，A厂使用低氟保护渣，二冷水中F-质量浓度增幅为1．2～24．3mg·L-1水样呈中性；B厂使用高氟保护渣，二冷水中F-质量浓度增幅为57．9mg·L-1，水样呈酸性．保护渣中氟含量越高，保护渣在水中的浸泡时间越长，渣中氟向水中的转移量就越多．控制保护渣中氟不超过2％，有利于减弱保护渣氟的浸出对二冷水的危害．在研究的组成范围内，碱度CaO／SiO2和Li2O对渣中氟的浸出无明显影响．增加保护渣中B2O3含量，有利于降低保护渣中氟在二冷水中的浸出．

一、填空题(本大题共6小题,每小题4分,总计24分) 1.i2= 2.w=z+4将平面上|<2变为w平面上的 学号: 3.f()=zRe(z)在何处解析 4. f() =e-4 cos6t L[ f()]= 5.()=2(o)则f(t) 6.f()=u+iv为解析函数,u-v=x3+3x2y-3xy2-y3为解析函数,则u=

• 2.1 Scala语言概述 2.1.1 计算机的缘起 2.1.2 编程范式 2.1.3 Scala简介 • 2.2 Scala基础 2.2.1 基本语法 2.2.2 控制结构 2.2.3 数据结构 2.2.4 面向对象编程基础 2.2.5 函数式编程基础 • 2.3 面向对象编程基础 2.3.1 类 2.3.2 对象 2.3.3 继承 2.3.4 特质 2.3.5 模式匹配 • 2.4 函数式编程基础 2.4.1 函数定义和高阶函数 2.4.2 针对集合的操作 2.4.3 函数式编程实例WordCount

5.1 RDD编程基础 5.1.1 RDD创建 5.1.2 RDD操作 5.1.3 持久化 5.1.4 分区 5.1.5 一个综合实例 5.2 键值对RDD 5.2.1 键值对RDD的创建 5.2.2 常用的键值对RDD转换操作 5.2.3 一个综合实例 5.3 数据读写 5.3.1 文件数据读写 5.3.2 读写HBase数据 5.4 综合案例 5.4.1 案例1：求TOP值 5.4.2 案例2：求最大最小值 5.4.3 案例3：文件排序 5.4.4 案例4：二次排序 5.4.5 案例5：连接操作

• 6.1 云数据库概述 • 6.1.1 云计算是云数据库兴起的基础 • 6.1.2 云数据库概念 • 6.1.3 云数据库的特性 • 6.1.4 云数据库是个性化数据存储需求的理想选择 • 6.1.5 云数据库与其他数据库的关系 • 6.2 云数据库产品 • 6.2.1 云数据库厂商概述 • 6.2.2 Amazon的云数据库产品 • 6.2.3 Google的云数据库产品 • 6.2.4 Microsoft的云数据库产品 • 6.2.5 其他云数据库产品 • 6.3 云数据库系统架构 • 6.3.1 UMP系统概述 • 6.3.2 UMP系统架构 • 6.3.3 UMP系统功能 • 6.4 Amazon AWS和云数据库 6.4.1 Amazon和云计算的渊源 6.4.2 Amazon AWS 6.4.3 Amazon AWS平台上的云数据库 • 6.5 微软云数据库SQL Azure • 6.6 云数据库实践 6.6.1 阿里云RDS简介 6.6.2 RDS中的概念 6.6.3 购买和使用RDS数据库 6.6.4 将本地数据库迁移到云端RDS数据库

采用辊轧工艺,制成了素坯密度较高的氧化锆增韧氧化铝复合陶瓷,并对其性能和结构分别进行了研究。利用多种粒径的粉体混合、多种增韧方式来设计复相陶瓷的显微结构,得到了最佳配比和最佳烧结工艺条件下的ZrO2/nmAl2O3/μmAl2O3复相陶瓷。此陶瓷在1550℃下烧结,得到优良的抗弯强度和断裂韧性

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求