采用溶胶凝胶法制备石墨烯气凝胶（GA），并研究了前驱液中的pH值与氧化石墨烯（GO）的质量分数对GA材料储能性能的影响。使用X射线粉末衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、氮气吸脱附分析、扫描电子显微镜（SEM）对样品微观结构与形貌进行表征。用循环伏安（CV）、恒流充放电（CP）、电化学交流阻抗（EIS）测试了样品的电化学性能。结果表明，前驱液中的pH值及GO质量分数的不同会影响GA中团簇颗粒的大小和数量，进一步影响GA三维结构。在pH值为6.3、GO 的质量分数为1%时，制得的GA比表面积最大为530 m2?g?1，在1 A?g?1的电流密度下比电容高达364 F?g?1。此外，将该材料制成对称超级电容器具有高的库伦效率，在1 A?g?1下进行CP测试，得到电容器的比电容为98 F?g?1，循环800次后其循环稳定性能为初始比电容值的95.9%

第21章门电路和组合逻辑电管电路 21.1脉冲信号 21.2晶体管的开关作用 21.3分立元件门电路 21.4TTL门电路 21.5MOS门电路 21.6逻辑代数 21.7组合逻辑电路的分析与综合 21.8加法器 21.9编码器 21.10译码器和数字显示 21.10数据分配器和数据选择器 21.12应用举例

§7.1 电解质溶液的导电机理及法拉第定律 §7.2 离子的迁移数 §7.3 电导、电导率和摩尔电导率 §7.4 平均离子活度因子及德拜-休克尔极限公式 §7.5 可逆电池及其电动势的测定 §7.6 原电池热力学 §7.7 电极电势和液体接界电势 §7.8 电极的种类 §7.9 原电池设计举例 §7.10 原电池设计举例分解电压 §7.11 原电池设计举例极化作用 §7.12 原电池设计举例电解时电极反应

§13-1电场中的导体 §13-2静电平衡导体上的电荷分 §13-3 有导体时静电场的分析与计算 §13-4静电屏蔽 §13-5 电容器 §13-6 电介质对电场的影响 §13-7 电介质的极化 §13-7 电介质的极化 §13-8 D矢量及其高斯定理 §13-9 电容器的能量

7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 74场效应晶体管及其放大电路 7.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

6.1电工仪表的类型、误差和准确度 6.2指针式仪表的结构及工作原理 6.3电流、电压、功率及电能的测量 6.4电阻的测量

谐振( resonance是正弦电路在特定条件下所产生的 种特殊物理现象,谐振现象在无线电和电工技术中得到广泛 应用,对电路中谐振现象的研究有重要的实际意义

运用循环伏安曲线、稳态极化曲线和Tafel曲线等电化学手段以及X射线光电能谱（XPS）法研究了辉铜矿在有菌和无菌体系下氧化过程的电化学行为.研究结果验证了辉铜矿在有菌体系和无菌体系下的两步氧化溶解机理，第一步氧化反应为辉铜矿不断氧化生成缺铜的中间产物CuxS（1≤x<2），直至生成CuS，在较低电位下即可进行；第二步反应为中间产物CuS的氧化，需要在较高电位下才可进行，反应速率较慢，是整个氧化反应的限制性步骤.循环伏安实验显示有菌体系电流密度明显大于无菌体系，表明细菌加快了辉铜矿的氧化速率.稳态极化实验显示辉铜矿点蚀电位较低，无菌体系第一段反应活化区电位范围小于有菌体系，表明辉铜矿氧化过程生成的中间产物硫膜具有钝化效应，细菌可以通过自身氧化作用破坏硫膜，减弱辉铜矿表面的钝化效果，加快辉铜矿的氧化溶解速率.X射线光电子能谱分析显示电极表面钝化层物质组成复杂，包含了CuS、多硫化物（Sn2-）、（S0）和含（SO42-）的氧化中间产物等多种物质，其中主要的钝化物为CuS，表明辉铜矿的氧化遵循多硫化物途径

1.1电路基本物理量 1.2电路基本元件 1.3基尔霍夫定律 1.4电路分析方法 1.5电路定理 1.6电路过渡过程分析

1.1电力电子器件概述 1.2不可控器件—二极管 1.3半控型器件晶闸管 14典型全控型器件 1.5其他新型电力电子器件 1.6电力电子器件的驱动 1.7电力电子器件的保护 1.8电力电子器件的串联和并联使用