 了解什么是专用可测性技术（ad-hoc technique）  了解TM (Testability Measure)  掌握SCOAP可测性分析方法  理解一般的ad-hoc可测性方法  了解什么是C可测性

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

本章从什么是触发器出发，介绍了常见触发器逻辑功能及其动作特点；介绍了时序逻辑电路的构成与分析方法；举例说明了时序逻辑电路设计的一般方法并重点介绍了寄存器、计数器电路的组成与原理，常见寄存器、计数器集成芯片；最后介绍了脉冲单元电路。读者应深入理解特征方程、状态图、时序图等时序逻辑电路分析与设计的基本概念，理解常见触发器逻辑功能、动作特点，掌握常见寄存器、计数器集成芯片的逻辑功能及其应用

上一章介绍了组合逻辑电路的分析与设计方法。随着微电子技术的发展,现在许多常 用的组合逻辑电路都有现成的集成模块,不需要我们用门电路设计。本章将介绍编码器 译码器、数据选择器、数值比较器、加法器等常用组合逻辑集成器件,重点分析这些器件 的逻辑功能、实现原理及应用方法

本章的重点： 1．时序逻辑电路在电路结构和逻辑功能上的特点，以及逻辑功能的描述方法； 2．同步时序逻辑电路的分析方法和设计方法； 3．常用的中规模集成时序逻辑电路器件的应用。 第一节 概述 第二节 同步时序电路的分析方法 第三节 若干常用时序逻辑电路 第四节 同步时序逻辑电路的设计方法

集成运放是一种多级放大电路， 性能理想的运放应该具有电压增益高、 输入电阻大、 输出电阻小、 工作点漂移小等特点。 与此同时， 在电路的选择及构成形式上又要受到集成工艺条件的严格制约。 因此， 集成运放在电路设计上具有许多特点， 主要有： (1) 级间采用直接耦合方式。 (2) 尽可能用有源器件代替无源元件。 (3) 利用对称结构改善电路性能

一、二极管“与门”电路 二、二极管“或门”电路 三、“非”门电路（反相器）