根据热力学定律,体系自由能愈高,状态愈不稳定。在等温擰等压(或等温等容条件下,体系总是自动地从高自由能向低自由能状态转变。 金属的结晶过程也是自由能降低的自发过程

１名词概念 质粒、F因子、Hfr、转化子、转导子、性导、半合子、附加体、高频转导、低频转导、感受态因子、特异性转导、合子诱导 2 了解细菌染色体大小与结构； 3 细菌的突变型的类型； 4 细菌菌株的类型、接合的组合方式与重组特点；

一、支承套的加工工艺 如图所示为升降台铣床的支承套，在两个互相垂直的方向上有多个孔要加工， 若在普通机床上加工，则需多次安装才能完成，且效率低，在加工中心上加工，只 需一次安装即可完成，现将其工艺介绍如下：

第 I 族、第 II 族元素及过渡元素都是典型的金属晶体， 它们的最外层电子一般为 1~2 个。组成晶体时每个原子 的最外层电子为所有原子所共有，因此在结合成金属晶 体时，失去了最外层（价）电子的原子实“沉浸”在由 价电子组成的“电子云”中。如图 XCH002_004 所示。 这种情况下，电子云和原子实之间存在库仑作用，体积 越小电子云密度越高，库仑相互作用的能愈低，表现为 原子聚合起来的作用

架空电缆是将电缆架挂在距地面有一定高度 电杆上的一种电缆建筑方式，与地下电缆相比， 虽然较易受外界影响，不够安全，也不美观，但 架设简便，建设费用低，所以在离局较远，用户 数较少而变动较大，敷设地下电缆有困难的地方 仍被广泛应用

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

最广泛使用的不连续缓冲系统最早是由 Ornstein(1964) 和 Davis(1964) 设计的, 样品和 浓缩胶 中含 Tris-HCl(pH 6.8), 上下槽缓冲 液含 Tris- 甘氨酸(pH 8.3), 分离胶中含 Tris-HCl(pH 8.8)。系统中所有组分都含有 0.1% 的 SDS(Laemmli, 1970)。样品和浓缩胶中的 氯离子形成移动界面的先导边界而甘氨酸分子则组成尾随边界，在移动界面的两边界之间是 一电导较低而电位滴度较陡的区域, 它推动样品中的蛋白质前移并在分离胶前沿积聚

1、重点掌握食品变质的原因及影响因素。 2、熟悉干藏食品含水量与贮藏期的关系。能估计干藏食品含水量、贮藏期。 3、了解食品在盐水中不会腐败的原因。 一、由微生物作用引起的变质微生物生长繁殖，使营养成分分解为低分子的嫌忌成分，色香味、营养价值恶化

一、 控制测量的意义和方法 (一) 控制测量的意义 测量过程中，不可避免地会产生误差，因此必须采取 正确的测量程序和方法，即遵循“由高级到低级，由整体 到局部，先控制后碎部”的原则进行测量作业，以防止误 差的积累并加快测量作业的速度。由于控制点数量少，并 且使用较精密的仪器和方法测定，所以易于保证较高的精 度

土是地壳表层的物质，在长期风化、搬运、磨蚀、沉积作用 的过程中，形成大小不等，未经胶结的一切松散物质。土的总体 特征是颗粒与颗粒之间的连接强度较土粒本身强度低，甚至没有 连接性。根据土粒之间有无连接性，大致可将土分为砂类土（砾 石、砂）和粘性土两大类