4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

1、电磁流量计的特点 2、电磁流量计的原理 3、电磁流量计的结构 4、电磁流量计的选用 5、电磁流量计安装 6、电磁流量计安装注意事项

7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

一、井径仪校验 二、井斜仪校验 三、感应测井仪实验 四、声波测井仪原理试验 五、双侧向测井仪实验 六、放射性测井仪实验

一、02 应用电子技术 《传感器原理与应用》教学大纲 《电子测量与仪器》教学大纲 《家电原理》教学大纲 《专业英语》教学大纲 《计算机通信网》教学大纲 二、03 应用电子技术 《C 语言》教学大纲 《PROTEL 与 EDA》教学大纲 《传感器原理与应用》教学大纲 《单片机原理及应用》教学大纲 《电子测量与仪器》教学大纲 《电子工艺与标准化》教学大纲 《AutoCAD》教学大纲 《计算机系统维护》教学大纲 《家电原理》教学大纲 《数字电路》教学大纲 《电力电子技术》教学大纲 《高频电路》教学大纲 《专业英语》教学大纲 《计算机通信网》教学大纲 三、04 应用电子技术 《C 语言》教学大纲 《PROTEL 与 EDA》教学大纲 《单片机原理及应用》教学大纲 《电路与电工技术基础（上）》教学大纲 《电子工艺与标准化》教学大纲 《AutoCAD》（《计算机绘图》）教学大纲 《计算机系统维护》教学大纲 《模拟电路》教学大纲 《数字电路》教学大纲 《彩色电视原理》教学大纲 《电力电子技术》教学大纲 《电路与电工技术基础（下）》教学大纲 《电子测量》教学大纲 《高频电路》教学大纲 四、05 应用电子技术 《电路与电工技术基础上》教学大纲 《电路与电工技术基础（下）》教学大纲 《数字电路》教学大纲 《模拟电路》教学大纲

4.1感光材料的结构和性能 4.2感光成像原理 4.3显影 4.4定影 4.5 图像反转冲洗工艺 4.6重氮盐感光材料