上篇：第一章 微波传输线 第二章 微波网格基础 第三章 阻抗匹配 第四章 微波无源器件 第五章 空腔谐振器 第六章 微波滤波器 第七章 微波铁氧体器件 下篇：第一章 辐射的基本原理 第二章 天线的电参数及接收天线 第三章 对称摄子 第四章 阵列天线 第五章 面天线的基本理论 第六章 喇叭天线 第七章 反射面天线

3.1 概述 3.1.1 可编程逻辑器件的发展历程 3.1.2 可编程逻辑器件的分类 3.2 简单PLD原理

第一章 电力电子技术简介 1.1 什么是电力电子技术 1.2 电力电子技术的发展史 1.3 电力电子技术的应用 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路 、第二章 整流电路 § 2.1、电力二极管(Power Diode) § 2.2、晶闸管(SCR、VT) §2.3单相半波可控整流电路 §2.4 单相桥式全控整流电路 §2.5 单相桥式半控整流电路 §2.6 三相半波可控整流电路 §2.7 整流电路的有源逆变 、第三章 直流斩波电路 §4 交流电力控制电路和交交变频电路 §4.1交流调压电路 §4.2 三相交流调压电路 §4.2 单相交交变频电路 、第五章 逆变电路、第六章 PWM控制技术

场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。优点:输入电阻大(107Ω~1012Ω)、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强等

作为片内I/O口的基本应用，本章介绍单片机片内I/O口与常见的输入器件（开关、键盘以及拨盘开关等）以及常见的显示输出器件（发光二极管、LED数码管、LCD液晶显示器和微型打印机）的接口设计与编程。 7.1 单片机控制发光二极管的显示 7.1.1 单片机与发光二极管的连接 7.1.2 单片机I/O端口控制发光二极管的编程 7.2 开关状态检测 7.3 单片机控制LED数码管的显示 7.3.1 LED数码管显示原理 7.3.2 LED数码管的显示方式 7.3.3 LED数码管静态显示设计 7.3.4 LED数码管动态显示设计 7.4 单片机控制LED点阵显示器显示 7.4.1 LED点阵显示器结构与显示原理 7.4.2 控制16×16 LED点阵显示屏的设计 7.5 单片机控制LCD 1602液晶显示器的显示 7.5.1 LCD 1602液晶显示模块简介 7.5.2 单片机控制字符型LCD 1602的显示案例 7.6 键盘接口设计 7.6.1 键盘接口设计应解决的问题 7.6.2 独立式键盘的设计 7.6.3 矩阵式键盘的设计 7.6.4 单片机与专用键盘/显示器芯片HD7279的接口设计 7.7 AT89S52单片机与微型打印机TPµP-40A/16A的接口 7.7.1 TPµP-40A/16A微型打印机简介 7.7.2 AT89S52单片机与TPµP-40A/16A的接口设计 7.8 单片机与BCD码拨盘的接口设计

第一章计算机组成原理实验概述 第二章FD-CES实验台 第三章可编程器件技术 第四章PLD硬件基础 第五章PLD开发环境

§1.8.1 基本指标 §1.8.2 功率放大器设计原则 §2.1微波混频器件 §2.2肖特基势垒二极管 §2.3非线性电阻混频原理 §2.4微波混频器电路

23.1只读存储器 23.2随机存取存储器 23.3可编程逻辑器件

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

研究了由双层磁化铁氧体构成的磁感应波器件的微波透射性能以及场致频率可调特性,并探讨了结构参数对微波性能的影响.两磁化铁氧体平板样品平行放置,由于间隙处表面波共振模强烈耦合产生磁感应波透过样品,在铁磁共振产生的微波禁带频率范围内产生一个显著的通带.通带的中心频率随着偏置磁场的增强而单调上升,显示出很好的场致频率可调性.随着两铁氧体之间间距的增加,界面耦合作用减弱,透射通带的半高宽逐渐降低,损耗增加