一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

联接概述 螺纹联接概述 螺纹联接的拧紧与防松 单个螺栓的受力分析与强度计算 螺纹组受力分析与讨论 提高螺纹联接强度的措施

监测的质量保证从大的方面可分为采样系统和测定系统两部分实验室质量 保证是测定系统中的重要部分,它分为实验室内质量控制和实验室间质量控制目 的是保证测量结果有一定的精密度和准确度。实验室质量保证必须建立在完善的 实验室基础工作之上以下讨论的前提是假定实验室的各种条件和分析人员是符 合一定要求的

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

换热器分类 按用途:加热器、冷却器、换热器、冷凝器 按方式:间壁式、直接混合式、蓄热式 载热介质 温:赛气冷却,水 、烟道气、熔盐、空气(冷却) 低温:盐水、液氦

由中心离子或原子(M)与周围配体(L)所组成的化合物 配合物。ML之间的键称配位键 配位键理论:价键理论_VB 晶体场理论CFT 分子轨道理论_MO配位场理论—MOT 配位场理论是在分子轨道理论的基础上,把中心原子(M 的价轨道按和的对称性分类,与配体线性组合的群轨道按和对称性匹配的原则,组成配合物的离域分子轨道。结合晶体场理论,讨论配合物的结构和性能

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ ） A．1 B．0 C．∞ D．100

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

硬盘的内部结构 硬盘的内部结构主要由固定面板、控制电路 板、盘头组件、接口及附件等几大部分组成。 盘头组件(HDA, Hard Disk Assembly)是构成 硬盘的核心,封装在硬盘的净化腔内,包括 浮动磁头组件、磁头驱动机构、盘片及主轴 驱动机构、前置读写控制电路等,如图所示