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清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)第6讲 放大电路的分析方法
文档格式:PPT 文档大小:1.76MB 文档页数:25
第六讲放大电路的分析方法 一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解法 三、等效电路法
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)第24讲 电压比较器
文档格式:PPT 文档大小:2.03MB 文档页数:17
第二十四讲电压比较器 一、概述 二、单限比较器 三、滞回比较器 四、窗口比较器 五、集成电压比较器
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)集成电路运算放大器
文档格式:PPT 文档大小:886.5KB 文档页数:10
一、集成电路运算放大器 集成运算放大器是一种高电压增益,高输入 电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路
海南大学:《计算机电子电路技术—电路与模拟电子部分》分析习题
文档格式:DOC 文档大小:158.5KB 文档页数:5
基尔霍夫电流定律:对于集总参数电路中的任一节点.在任一时刻,流经该节 点的所有支路电流的代数利等于 。 基尔霍夫电压定律:对于集总参数电路中的任一回路,在任一时刻,沿该回路 的所有电压降的代数和等于
海南大学:《计算机电子电路技术—电路与模拟电子部分》第8章 集成运算放大器
文档格式:PPT 文档大小:1.47MB 文档页数:25
集成运放的原理框图 集成运放是一种高放大倍数、高输入电阻、低输出电阻的直接 耦合放大电路。为抑制零点漂移,对温漂影响最大的第一级采 用了差动放大电路。为提高放大倍数,中间级一般采用有源负 载的共射放大电路。输出级为功率放大电路,为提高此电路的 带负载能力,多采用互补对称输出级电路
海南大学:《计算机电子电路技术—电路与模拟电子部分》第1章 电路基本概念和定律
文档格式:PPT 文档大小:2.22MB 文档页数:101
1.1 电路模型 1.2 电路变量 1.3 电阻元件 1.4 电源元件 1.5 基尔霍夫定律 1.6 电阻的串联和并联 1.7 实际电源模型
《通信原理》课程教学资源(习题解答)通信原理(第六版)课后思考题及习题答案(共八章)
文档格式:DOC 文档大小:764KB 文档页数:82
第一章 绪论 第二章 确知信号 第三章 随机过程 第四章 信道 第五章 模拟调制系统 第六章 数字基带传输系统 第七章 数字带通传输系统 第八章 模拟信号的数字传输 第一章 绪论 第二章 确定信号和随机信号分析 第三章 信道 第四章 模拟信号调制 第五章 数字基带传输系统 第六章 数字调制系统 第七章 模拟信号的数字传输 第八章 数字信号的最佳接收
南华大学:核科学技术学院辐射防护与核安全专业课程教学大纲汇编
文档格式:PDF 文档大小:9.04MB 文档页数:583
1学科基础课平台必修课 《高等数学 A1》 《高等数学 A2》 《大学物理 A1》 《大学物理 A2》 《大学物理实验》 《金工实训 B》 《模拟电子技术 B》 《电工电子实训》 《原子物理学 B》 《理论物理基础》 《核电子学 C》 《核辐射探测 C》 《原子核物理 B》 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《电子辅助设计》 2学科基础课平台选修课 《画法几何与工程制图》 《核工业概论 B》 《数学物理方法 A》 《科学计算方法》 《安全科学概论》 《核安全文化》 《数字电子技术 B》 《环境学导论》 《文献检索》 《普通化学》 《电路原理》 《电路原理 B》 《加速器原理》 《辐射防护与核安全专业导论》 3专业课平台必修课 《辐射剂量学》 《放射化学》 《环境监测与评价课程设计》 《核辐射探测与核电子学实验》 《辐射防护与核安全专业生产实习》 《辐射剂量与防护实验》 《辐射防护与核安全专业毕业设计(论文)》 《辐射防护》课程设计教学大纲 《辐射防护 A》 《核技术应用实验》 《辐射防护与核安全专业认识实习》 《核辐射测量课程设计》 《环境监测与评价 A》 《辐射防护与核安全专业毕业实习》 4专业课平台选修课 《核科学技术专业英语》 《电磁辐射防护》 《放射性废物处理与处置》 《核医学 B》 《医用放射源辐射安全与防护》 《放射生物学 B》 《核技术应用概论》 《核与辐射安全 A》 《核安全法规与监管》 《微剂量学》 《核电站辐射监测技术》 《物理实验》 《核电厂系统与设备 C》 《蒙特卡罗方法 B》 《核辐射智能测量仪表》 《辐射成像 B》 《反应堆物理分析 C》 《反应堆安全分析 A》
燕山大学信息科学与工程学院:《通信原理》 第七章 模拟信号的数字传输
文档格式:PPT 文档大小:1.03MB 文档页数:113
第7章模拟信号的数字传输 7.1引言 7.2抽样定理 7.3脉冲振幅调制 7.4模拟信号的量化 7.5脉冲编码调制 7.6差分脉冲编码调制 7.7增量调制 7.8DPCM中的量化噪声 7.9时分复用和多路数字电话系统
《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 MOS模拟集成电路基础(4.3)MOS模拟集成电路基础
文档格式:PPT 文档大小:771.5KB 文档页数:13
与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多
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