《模拟电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第二章 BJT放大电路基础（2.2.1）三种基本组态放大电路的特性与分析——共射放大电路的特性与动态分析

实验一 门电路逻辑功能及测试 实验二 组合逻辑电路 实验三 译码器和数据选择器 实验四 触发器 实验五 时序电路测试及研究 实验六 计数译码显示电路的设计 实验七 555时基电路的应用 实验八 数字电子秒表

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

• 10.1 数字电路概述 • 10.2 逻辑门电路 • 10.3 逻辑函数及其化简 • 10.4 组合逻辑电路的分析与设计 • 10.5 组合逻辑部件

13.1 数字电路的基础知识 13.2 基本逻辑关系 13.3 逻辑代数及运算规则 13.4 逻辑函数的表示法 13.5 逻辑函数的化简

FET的小信号等效模型电路十分简单,由于栅源之间的输入 阻抗很高,无输入电流,故呈开路状态。其漏源之间在恒流区 工作时,也是一个正向受控电流源,输出受Gs控制,为表 示uGs对i的控制能力,通常来表示

1.反馈电路类型判断方法 2.负反馈对放大器性能的影响 3.深度负反馈电路放大倍数近似估算 4.自激条件

8.3.2 分析计算 8.3.1 电路组成 8.3.3 功率BJT的选择

19.1整流电路 19.2滤波器 19.3直流稳压电源