通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

教学目标： • 1、知道控制器的类型及选择方法； • 2、掌握控制器设计中应该考虑的人机因素 • 3、典型控制器设计方法； 教学内容： 一、控制器的类型 二、控制器设计的一般要求 三、设计控制器时应该考虑的因素 四、控制器的设计 五、控制器的选择原则

第一章 复数与复变函数 第二章 解析函数 第三章 复变函数的积分 第四章 解析函数的级数表示 第五章 留数及其应用 第六章 共形映射 第七章 解析函数在平面场的应用 第八章 傅里叶变换 第九章 拉普拉斯变换

1. 掌握原子核外电子分布的一般规律（描述核外电子运动状态的四个量子数的物理意义和可能取值，核外电子排布原理，电子排布式和轨道表示式）及其与元素周期表的关系； 2. 了解原子核外电子运动的基本特征，s,p,d 轨道波函数与电子云的空间分布情况； 3. 了解化学键的本质及共价键键长、键角等概念； 4. 熟悉杂化轨道理论，能用该理论判定某些分子的空间构型； 5. 了解分子间力和晶体结构及对物理性质的影响； 6. 了解原子光谱和分子振动光谱的基本原理及应用情况

特征值 一、基本要求 1.理解矩阵的特征值、特征向量的概念并掌握其求法; 2.了解相似矩阵的概念、性质及矩阵对角化的充要条件,会化矩阵为相似对角形 二、内容提要 1.特征值与特征向量 设A为n阶方阵,a为n维非零列向量,为一个数,使得则称为A的一个特征值,a为A对应于的一个特征向量 2.特征向量的性质 (1)对应于不同特征值的特征向量是线性无关的 (2)同一特征值的特征向量a1,a2,…,am的任意非零线性组合

系统的抗干扰性能的好坏是影响系统可靠性的重要因 素。 14.1 干扰的来源 影响单片机测控系统正常工作的信号称为噪声，又称 干扰。 影响指令的正常执行，造成控制事故或控制失灵，在 测量通道中产生了干扰，就会使测量产生误差，电 压的冲击有可能使系统遭到致命的破坏。 干扰一般都是以脉冲的形式进入系统的， 窜入单片机系统的渠道主要有三条：

第二节 求导法则 一、函数的和、差、积、商的求导法则 二、复合函数的求导法则 四、初等函数的求导公式 三、反函数的求导法则 五、三个求导方法 六、高阶导数 第三节 微分及其在近似计算中的应用 一、两个实例 二、微分的概念 三、微分的几何意义 四、微分的运算法则 五、微分在近似计算中的应用 第一节 导数的概念 一、两个实例 二、导数的概念 三、可导与连续 四、求导举例

第十章多元函数微分学 第一节多元函数的极限及连续性 思考题: 1.将二元函数与一元函数的极限、连续概念相比较,说明二者之间的区别 答:二元函数与一元函数的极限都是表示某动点P以任意方式无限靠近定点时,与 之相关的一变量无限接近于一个确定的常数,不同的是后者对应P,Q点是数轴上的点, 前者对应的P,Q是平面上的点

以氧气高炉循环煤气加热工艺为背景，在实验室条件下研究了CO和H2体积分数较高的煤气加热时的析碳行为。实验结果表明，温度和CO2体积分数是影响析碳反应的重要因素。在300-700℃范围内，当温度低于500℃时，析碳反应速度随温度的升高而增加；当高于此温度时，反应速度随温度的升高而下降。析碳反应包括CO分解析碳反应以及CO和H2的混合析碳反应。对比热力学理论与实验现象分析了析碳过程中以上两个反应可能起到的作用。采用扫描电镜，从微观结构上观察了500~700℃时加热过程中析出碳的形态并研究了析碳行为。另外，随着CO2体积分数的增加，析碳反应速率逐渐降低。在500℃和600℃时，CO2体积分数的增加对析碳行为有较大抑制作用，尤其在500℃时这种抑制作用更加明显

§4.1 概述 一、集成运放的特点 二、集成运放电路的组成 三、集成运放的电压传输特性 四、集成运放的应用 §4.3 集成运放中的电流源 一、零点漂移现象及其产生的原因 二、长尾式差分放大电路的组成 三、长尾式差分放大电路的分析 四、差分放大电路的四种接法 五、具有恒流源的差分放大电路 §4.2 差分放大电路 §4.4 集成运放的电路分析及其性能指标