一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

§7-1反馈的基本概念与分类 §7-2负反馈放大电路的方框图及增益的一般表达式 §7-3负反馈对放大电路性能的改善 §7-4负反馈放大电路的分析方法 §7-5负反馈放大电路的稳定问题

§6-1 模拟集成电路的电流源 §6-2差分式放大电路 §6-3 集成电路运算放大器 §6-4集成电路运算放大器的主要参数 §6-6 放大电路中的噪声与干扰

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

§3-1半导体的基本知识 §3-2 PN结的形成及特性 §3-3半导体二极管 §3-4二极管基本电路及分析方法 §3-5特殊二极管

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

§1-1 电子系统 §1-2 信号及其频谱 §1-3 模拟信号和数字信号 §1-4 放大电路 §1-5 放大电路的主要性能指标