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从理论上推导出提高功率因数不仅可以减少输电时的损耗，还可以充分发挥电器设备的效用，并以日光灯照明电路为例说明提高电路的功率因数的方法

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（PPT课件）第三章半导体三极管及放大电路基础（3.1）半导体三极管（BJT）

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3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数

电子科技大学：《模拟集成电路分析与设计 Analysis and Design of Analog Integrated Circuit》课程教学资源（课件讲稿）Chapter 01 Introduction、Models and comparison of integrated-circuit active devices

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-- PN Junction -- Large-Signal and Small-Signal Models of Bipolar Transistors -- Large-Signal and Small-Signal Models of MOS Transistors -- Comparison of BJT and MOS transistors

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（PPT课件）第三章半导体三极管及放大电路基础（3.2）共射极放大电路

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一、电路组成二、简化电路及习惯画法三、简单工作原理四、放大电路的静态和动态五、直流通路和交流通路

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（PPT课件）第三章半导体三极管及放大电路基础（3.4）小信号模型分析法

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3.4.1 BJT的小信号建模 3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（PPT课件）第三章半导体三极管及放大电路基础（3.7）放大电路的频率响应

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3.7.1单时间常数RC电路的频率响应 RC低通电路的频率响应 RC高通电路的频率响应 3.7.2单极放大电路的高频响应标(主要是增 3.7.3单极放大电路的低频响应益)随信号频

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（PPT课件）第四章场效应管放大电路（4.4）场效应管放大电路

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4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

湖南人文科技学院：《大学物理——电子技术基础模拟部分》（第五版）第2章习题解答

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2.1集成电路运算放大器 2.1.1电路如图题2.1.1(主教材图2.1.3)所示,运放的开环电压增益 A。=10°,输入电阻7=10°,输出电阻rn=750,电源电压V.=+10V, V.=-10v。(1)求运放输出电压为饱和值时输入电压的最小幅值tp-v=?

湖南人文科技学院：《大学物理——电子技术基础模拟部分》（第五版）第3章习题解答

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3.2PN结的形成及特性 3.2.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l5(e\-1),其中n=1,Vr=26mV

湖南人文科技学院：《大学物理——电子技术基础模拟部分》（第五版）第4章习题解答

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4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极