采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管

重点：直流稳压电源的组成及各部分的作用,单相桥式整流电路的分析和估算,电容滤波电路的分析和估算,稳压管稳压电路的分析和限流电阻的估算,串联型稳压电路的分析和输出电压调节范围的计算,三端稳压器的应用,串联、并联开关型稳压电路的原理及特点。难点：各种稳压电路的稳压原理。表现为学生在自己组成稳压管稳压电路时常不接限流电阻,在分析串联型稳压电路时不能正确判断调整管是否工作在放大状态、不能正确判断电路是否引入的是负反馈,等等

1频率响应(或称频率特性) 2.波特图

介绍本课程的性质、主要内容、特点、学习方法及其他与学习 本课程要注意的有关事项

第一节 逻辑仿真 第二节 电路综合

一、场效应晶体管 二、场效应管放大电路

《电路》课程教学资源（电子教案）第十六章 二端口网络

4-1线性和叠加定理 4-2替代定理 4-3戴维南定理和诺顿定理 4-4特勒根定理 4-5互易定理

《电路》课程教学资源（电子教案）第十四章 网络函数