库仑(C.a.. Coulomb1736-1806) 法国物理学家,1785年通过扭秤实验创立库仑定律,使电磁学的研 究从定性进入定量阶段.电荷的单位库仑以他的姓氏命名

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

he World's Largest-Capacity 8kV/3.6kA Light-Triggered Thyristor by Katsumi sato* Mitsubishi Electric has developed an 8kV/3.6kA light-triggered thyristor (LTT) based on a six inch wafer for power-converter applications in igh-voltage DC transmission and back-to-back systems. New design features give the device

2.1辑变量和逻辑运算 一 、二值逻辑变量用大写字母A、B、C···表示,两种取值0和1,代表一对对立状态,例如开关的通断。 二、存在三种与二值变量有关的逻辑运算“与”:只有决定事物结果的全部条件同时具备(为真)时,结果才发生(为真)

Chapter 12 Molecular Rearrangements I Classification of Rearrangement Reactions II Nucleophilic Rearrangement 1 Wagner-Meerwein rearrangement 2 Pinacolic Rearrangement 3a- ethandione Rearrangement 4 Beckmann Rearrangement 5 Baeyer-Villiger- Rearrangement Electrophilic Rearrangement) 1 favorskii Rearrangement 2 Stevens Rearrangement 3 Wittig Rearrangement 4 Fries Rearrangement IV Radical Rearrangement

一.亲电取代反应 1.反应机理 芳正离子的生成 加成一消除机理 2.反应的定向与反应活性 a.反应活性与定位效应 b.动力学控制与热力学控制 c.邻、对位定向比 亲电试剂活性 空间效应。 极化效应

1、试电感应强度【电位移)、电化强定和荷密度 的物理意义,写出它们之间的数学表达式(15分) 2、已知某种晶体为立方密堆结构,正、负离子径分别为 .33×1米,.95×10米,试求出其在流电汤下 的电系数(已知雪数n=,马德隆常数A=1.75、单

一.是非题(共10分。只需注明“对”或“错”) 1.自然界存在的个体最大的微生物属于真菌界。 2.大肠杆菌和枯草芽孢杆菌属于单细胞生物,唾链球菌和金黄色葡萄球菌属于多细胞生物。 3.因为碱性染料能与细胞中带正电的组成成分结合,所以,常将其用于细菌染色。 4.在碳源和氮源充足的条件下,PHB生产菌的细胞内会有大量的乙酰辅酶A缩合形成 PHB

在讨论了状态方程的描述、标准形和模型转换后,本章将讨论线性多变量系统的运动 分析,即线性状态方程的求解。对于线性定常系统,为保证状态方程解的存在性和唯一 性,系统矩阵A和输入矩阵B中各元必须有界。一般来说,在实际工程中,这个条件是一 定满足的

一.填空: (1)[f(t)dt (2)∫(x+a2-x2)2dx (3) d (4)已知f(x)=x+2f(x)d,则f(x)= dx (5) 0x2+6x+18 (6) tsin tdt= (7)设f(x)是连续函数,且F(x)=f(t)dt,则F(x)=