9.1滤波电路的基本概念与分类 9.2一阶有源滤波电路 9.3高阶有源滤波电路 9.4开关电容滤波电路 9.5正弦波振荡电路的振荡条件 9.6RC正弦波振荡电路 9.7LC正弦波振荡电路 9.8非正弦波振荡电路

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

3.1半导体的基本知识 3.2PN结的形成及特性 3.3半导体二极管 3.4二极管基本电路及其分析方法 3.5特殊二极管

6-1如果要求开环放大倍数A变化25%时,闭环放大倍数的变化不能超过1%,又 要求闭环放大倍数A为10,试问开环放大倍数A应选多大?这时反馈系数F又应选 多大?

9-1OTL电路如图P9-1所示。已知Uc=UE=20V,负载R1=8,并忽略功率

（1）掌握正弦波振荡电路的组成和振荡原理。 （2）掌握RC桥式正弦波振荡电路的组成、工作原理。 （3）了解LC正弦波振荡电路和石英晶体正弦波振荡电路的组成、工作原理和性能特点

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

一、导体、绝缘体、半导体 二、制造半导体器件的材料 1-1 半导体物理基础知识 1-2 PN结 1-3 晶体二极管及其基本电路

1.2信号的频谱 1.2.1写出下列正弦波电压信号的表达式(设初始相角为零) (1)峰-峰值10V,频率10kHz; (2)有效值220V,频率50Hz;

4.1结型场效应管 4.2砷化镓金属-半导体场效应管 4.3金属氧化物-半导体场效应管 4.4场效应管放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较