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提出一种脑-机接口系统实现多旋翼飞行器室内二维空间目标搜索.系统由半自主导航与决策子系统组成.半自主导航子系统用于为决策子系统提供可行飞行方向并实现多旋翼飞行器半自主避障.决策子系统采用互相关方法与逻辑回归方法完成运动想象的脑电特征提取与分类.实际的室内目标搜索实验验证了使用该系统是可行且有效的.相比其他方法,减少了被试者负担,降低控制难度,控制精度约提高±10 cm
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一、目的与要求 1学习利用光谱图比较法进行光谱定性分析的操作方法。 2学会使用摄谱仪和光谱投影仪以及谱片的显影和定影方法。 二、实验原理 原子发射光谱分析法是根据受激发的物质所发射的光谱来判断其组成的一门技术。在室温下,物质中的原子处于基态E),当受外能(热能、电能等)作用时,核外电子跃迁至较高的能级(En),即处于激发态,激发态原子是十分不稳定的,其寿命大约为10-8s。当原子从高能级跃迁至低能级或基态时,多余的能量以辐射形式释放出来。其辐射能量与辐射波长之间的关系用爱因斯坦一普朗克公式表示:
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16-1 热辐射 普朗克能量子假说 16-2 光电效应 16-3 康普顿效应
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目前已知的物质约有500万种它们由已经发现的107种化学元素的原子组成。在这 107种化学元素中,自然界里存有93种,其余是人工合成的
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分析含磷高强IF钢中FeTiP相的脱溶行为及对硬度的影响,发现含磷IF钢的时效硬化现象.实验表明,550℃时效时硬化效果比较明显.电镜和能谱分析表明大量细小的FeTiP相脱溶是产生硬化现象的重要原因.750℃时效时,FeTiP相中Fe:Ti:P(原子比)并不严格地符合1:1:1的比例,且在晶界及晶内均有析出.在超低碳高纯净微合金钢中,如FeTiP相等非碳氮化合物导致的硬化现象值得引起重视
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具体说来,理论已经解释了这一事实,即就一阶效应而言,介 质和观察者相对于以太的共同速度对现象没有影响3) 但是当涉及二阶效应时,迈克尔逊干涉仪实验4)的否定 结果给理论造成了很大的困难.为了消除这些困难,洛伦兹 和 Fitz-Gerald5各自提出了假设:当物体以平移速度v移动 时,会改变它们的线度.这种沿运动方向的线度改变是由因 子x√1-(02/02)决定的,其中x为相应的作横向线度改变
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前面我们所学的凝胶过滤法、离子交换法以及电泳等一系列分离纯化生物大分子的 手段,比起早期采用的盐析法,有机溶剂及等电点沉淀法等,分离效果要好得多。但是, 这些方法中,或是利用生物大分子在一定条件下不同的溶解度、电荷分布、总电荷的不 同,或是依据其分子的大小和形状的不同。一句话,多是利用生物分子间物理和化学性 质的差异来进行分离纯化的。由于这些方法的特异性比较低,加之待分离物质之间的物 化性质差异较小,常常要综合不同的分离方法。经过许多步骤才能使生物分子达到一定 的纯度
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采用阴极弧离子镀法在GH4169合金表面制备了TiAlSiN涂层,通过扫描电镜和能谱仪分析了其表面和界面的形貌和能谱,用轮廓仪测试了涂层表面粗糙度.在往复式摩擦磨损试验机上进行了涂层摩擦与磨损实验,通过能谱仪分析了涂层表面磨损后点能谱和面能谱,考察了TiAlSiN涂层的摩擦因数和磨损性能,对其磨损机理进行了讨论.实验结果显示涂层表面组织结构较为致密,表面粗糙度为194.57 nm;涂层主要成分为Ti、Al、Si和N元素,Si原子细化了TiN和AlN晶粒;涂层结合界面发生了化学反应和成分的相互扩散,其结合形式为化学结合;涂层摩擦因数平均值为0.493,磨损形式为磨粒磨损;磨损痕迹面扫描结果表明,磨损后Al和Ti形成的氮化物减少,Si和N原子无明显的减少现象,涂层耐磨性增强主要依赖于Si和N形成的化合物
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通过干湿循环加速腐蚀实验并结合X射线衍射、扫描电镜、能谱分析和N2吸附等方法,研究了低碳贝氏体钢在用相应溶液模拟的三种大气环境(海洋、工业和海洋工业大气)中加速腐蚀行为和腐蚀产物特征.实验结果表明,低碳贝氏体钢在三种环境中的腐蚀速率均低于商业化耐候钢09CuPCrNi.低碳贝氏体钢在上述三种环境中的腐蚀速率也有较大差别,其在含有复合腐蚀因子(Cl-和SO32-)的环境中腐蚀最为严重,而在只含腐蚀因子SO32-的环境中腐蚀程度最轻.在不同环境中形成的腐蚀产物相组成差别很小,但锈层致密程度相差较大,并且锈层越致密,对应的钢腐蚀速率越低.在三种环境中的腐蚀对钢的拉伸力学性能的影响较小,说明没有产生严重的局部腐蚀
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本文通过在EM400T透射电镜上用一些标准成分的样品进行薄膜无标样成份分析实验,检验了EDAX9100能谱仪的分析准确度。在本试验所用的样品范围内,其准确度为:近邻元素同一X光线系分析相对误差为5~10%,非近邻元素不同线系分析相时误差较大,可达20~50%。试验证明在分析元素的质量吸收系数之差Δμ较大时,还必须考虑吸收修正。通过对K因子的讨论,得出与本实验结果符合比较好的薄膜能谱理论公式组合为:取BeThe-Powell公式的电离截面QBP∞(1n0.65U)/U·Ej2,K系、L系、M系的线系常数调整后取bK:bL:bM=0.35:0.35:0.24,荧光产额用Bambynek的ωK和wentzel的ωL和ωM。用以上公式组合并经过吸收修正,对所有线系计算结果相对误差小于10%
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