有压管道非恒定流问题,即水击问题。 正常运行的管道,由于某种原因,须迅速关闭或开 启阀门,使管中流速在很短时间内发生急剧变化 。速度的改变引起动量变化,动量变化又伴随有 力的产生,表现为管流出现巨大的附加压强,即 水击压强,并伴之锤击之声,工程上称之为水击 或水锤。 水击压强可数百倍于管道恒定流的压强,再此压强 作用下,必须考虑液体的压缩性和管壁的弹性。 水击的危害很大,常引起管壁爆裂或产生严重变形 。在压力管道设计中必须加以考虑

§1.1 微波晶体管种类与特性 §1.2 BJT硅双极型微波晶体管 §1.3 微波场效应晶体管 §1.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT, SiGe HBT §1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.6 放大器噪声参数 §1.7 微波晶体管放大器设计 §1.8 微波功率放大器

为了给地源热泵U型管地下换热器的优化设计提供理论依据,通过CFD数值软件对地源热泵U型管地下换热器系统中的流动和传热过程进行数值模拟.结果表明,地源热泵U型管地下换热器的换热效率随支管间距的增大而增加,随回填土材料热导率的增加而增大,而且支管间距和回填土材料热导率对换热器效率的影响是很复杂的非线性关系.当钻孔深度超过80m时,两支管的温升比急剧增加,支管间的热损失加剧,建议在实际操作中钻孔深度不要太深

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微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

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