1、概述 本章将介绍数字信号处理的基本知识,并 介绍由上百个数字信号处理和分析的Ⅵ构成 的 LabVIEW分析软件库。 ·目前,对于实时分析系统,高速浮点运算 和数字信号处理已经变得越来越重要。 ·通过分析和处理数字信号,可以从噪声中 分离出有用的信息,并用比原始数据更全 面的表格显示这些信息。下图显示的是经 过处理的数据曲线

一、问答题(6题共65分) 1如何认识我国民的渊源?(10分) 2法人内部责任应当如何划分?(10分 3试述我国公民自白权的民法保护措施。(10分) 4试述我国所有权中的处分权能。(10分)

以中碳结构钢大方坯及其热轧棒材为研究对象，通过对铸坯和轧材进行低倍侵蚀和成分分析，揭示了连铸控流模式对大方坯凝固组织与宏观偏析分布特征的影响及其铸轧遗传性。研究表明：常规直通水口浇注模式下，结晶器电磁搅拌(Mold electromagnetic stirring, M-EMS)电流由0增加到800 A，铸坯等轴晶率由6.06%仅可增加到11.71%，难以有效避免大方坯常见的中心缩孔缺陷与突出的中心线偏析。采用新型五孔水口浇注模式，即使不开启M-EMS，铸坯中心等轴晶率仍可达23.1%，大方坯中心缩孔级别可降至1.0级以下，满足后续热轧大棒材探伤要求。同时发现，五孔水口浇注模式下，大方坯铸态组织中往往会出现较为明显的柱状晶到等轴晶转变(Columnar to equiaxed transition, CET)区，铸坯断面碳偏析指数呈M型分布，表现为断面1/4位置CET区域碳偏析指数最高。大棒材轧制基本改变不了铸坯断面宏观偏析的分布形态，且可能导致中心线偏析指数增加。同时指出，基于连铸控流模式的作用规律和铸?轧遗传性特征，以及特殊钢长材热加工对中心致密度和偏析分布与程度的要求，实际生产中应从连铸工艺源头合理地控制铸态组织与宏观偏析分布形态

§2－1电阻分压电路和分流电路 §2－2 电阻单口网络 §2-3 电阻的星形联结与三角形联结 §2－4 简单非线性电阻电路分析 §2－5 电路设计，电路应用和电路实验实例

§2－1电阻分压电路和分流电路 §2－2 电阻单口网络 §2-3 电阻的星形联结与三角形联结 §2－4 简单非线性电阻电路分析 §2－5 电路设计，电路应用和电路实验实例

1.本章的教学目的及教学要求 动态静力分析所介绍的主要问题，运用理论力学的知识应该是能够解决的，但由于 机构力分析是机构分析与综合的重要问题之一，而且在本课程中关于机构力分析的内容 及方法的介绍更体现了工程实际应用的特点，所以仍有进一步学习的必要。但鉴于课时 压缩，用图解法作平面机构的动态静力分析放在课外由学生自学

5-5 一阶电路的全响应 5-6 一阶电路的三要素法 5-7 一阶电路的特殊情况分析 5－8 阶跃信号和阶跃响应 5-9 脉冲序列作用下的一阶电路分析

第一节 系统评价原理 一、系统评价要素 二、系统评价的程序与方法 三、 综合评价指标与权重的确定 四、系统评价的主要方法 第二节 关联矩阵法 第三节 层次分析法 • 一、层次分析法概述 • 二、层次分析法的基本原理 • 三、层次分析法的步骤和方法 • 四、层次分析法的广泛应用 • 五、应用层次分析法的注意事项 第四节 模糊评价法

板料成形数值模拟概述 板料成形数值模拟概述 板料成形数值模拟概念 板料成形数值模拟的发展方向 板料成形概念 模拟分析流程 DYNAFORM软件介绍 分析参数设置 1.5 模拟分析流程 2.1 网格划分 2.2 毛坯尺寸的反向2.4 材料模型的定义计算 2.5 模具运动定义 等效拉延筋的设置 成形分析和回弹分析的方法 成形缺陷预测 板料成形数值模拟的应用 实例 影响成形质量的主要因素 接触碰撞现象 弹塑性变形现象 方形盒制件拉深成形的数值模拟

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项