通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

第一章 概论 第二章 运算基础 第三章 微处理器结构 第四章 半导体存储器 第五章 8086的寻址方式和指令系统 第六章 汇编语言程序设计 第七章 8086时序 第八章 输入/输出及中断系统 第九章 输入/输出接口技术 第十章 数/模与模/数接口技术

5.1存储器的分类与组成 5.2随机存取存储器（ＲＡＭ） 5.3读存储器（ＲＯＭ） 5.4存储器的连接 5.5几种新型的半导体存储器 5.6磁表面存储器 5.7光盘存储器

第一章 概论 第二章 运算基础 第三章 微处理器结构 第四章 半导体存储器 第五章 8086的寻址方式和指令系统 第六章 汇编语言程序设计 第七章 8086时序 第八章 输入/输出及中断系统 第九章 输入/输出接口技术 第十章 数/模与模/数接口技术 第十一章 微机最小系统与监控程序 第十二章 从8086到Pentium II

4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应

随机存储器简称为RAM是电子计算机的重 要组成部分它能够存储数据、指令、中间结果。 随机存取:是指存储器中任意一个存储单元都 能以随机次序迅速地存入(写入)信息或取出 (读出)信息 根据存储单元的工作原理,可分为:

第一章 单片机的基础知识 第二章 MCS-51指令系统 第三章 汇编语言程序设计 第四章 半导体存储器 第五章 输入输出与中断 第六章 并行接口与定时／计数器 第七章 串行接口 第八章 功能器件的应用 第九章 单片机的C51编程 第十章 单片机控制系统设计与调试

1. 电路组成 2. 简化电路及习惯画法 3. 简单工作原理 4. 放大电路的静态和动态

一、电路组成 二、简化电路及习惯画法 三、简单工作原理 四、放大电路的静态和动态 五、直流通路和交流通路

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理