▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

一、频率响应的基本概念 二、放大电路的频率参数 三、晶体管的高频等效电路 四、场效应管的高频等效电路

5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.3 场效应管的高频等效模型 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿

2.1 概述 2.2 晶体管放大电路的组成及其工作原理 2.3 图解分析法 2.4 微变等效电路分析法 2.8 场效应管放大电路 2.6 共集电极放大电路 2.5 分压式偏置稳定共射放大电路 2.7 共基极放大电路

第十四讲频率响应概述与晶体管的高频等效电路 一、频率响应的基本概念 二、放大电路的频率参数 三、晶体管的高频等效电路 四、场效应管的高频等效电路

第2、3章小结 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效应管FET)多数载流子导电

4.2.1电力电子器件的分类 两大分支: 一是以晶闸管为代表的半控型器件; 二是新型的品类繁多的全控型器件,如电力晶体管(GTR),可关断晶闸管(GTO),功率场效应晶体管(功率 MOS FET),绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

探测器件 热光电探测元件 光电探测元件 气体光电探测元件 外光电效应 内光电效应 非放大型 放 大 型 光电导探测器 光磁电效应探测器 光生伏特探测器 本征型 掺杂型 非放大 放大型 真空光电管 充气光电管 光电倍增管 变像管 摄像管 像增强器 光敏电阻 红外探测器 光电池 光电二极管 光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管

第2章基本放大电路 2.1概述 2.2晶体管放大电路的组成及其工作原理 2.3图解分析法 2.4微变等效电路分析法 2.5分压式偏置稳定共射放大电路 2.6共集电极放大电路 2.7共基极放大电路 2.8场效应管放大电路