烟台理工学院：《数字电路与逻辑设计》课程教学资源（课件讲稿）第二章 门电路 2.2 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性

PN结及其单向导电特性 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管在实际中的应用

1.4特殊二极管 1.4.1稳压二极管 1.4.2光电二极管

1.1半导体的导电特性 1.2PN结的形成及特性 1.3二极管 1.4特殊二极管

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管

探测器件 热光电探测元件 光电探测元件 气体光电探测元件 外光电效应 内光电效应 非放大型 放 大 型 光电导探测器 光磁电效应探测器 光生伏特探测器 本征型 掺杂型 非放大 放大型 真空光电管 充气光电管 光电倍增管 变像管 摄像管 像增强器 光敏电阻 红外探测器 光电池 光电二极管 光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管

双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。 它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极 管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图2―1(a)所示。由图可见， 组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构， 所以称为NPN管

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)