针对传统算法在抗光照变化影响、大位移光流和异质点滤除等方面的不足,从人类视觉认知机理出发,提出了一种基于机器学习和生物模型的运动自适应V1-MT (motion-adaptive V1-MT,MAV1MT)序列图像光流估计算法.首先,引入基于ROF模型的结构纹理分解(structure-texture decomposition,STD)技术,有效解决了光照和色彩变化的影响.其次,利用多V1细胞加权组合及非线性正则化模拟MT细胞模型,并结合岭回归训练学习得到运动自适应的权重,解决对目标的运动速度感知问题.最后,引入由粗到精的增强方法和图像金字塔局部运动估计采样,将V1-MT运动估计模型应用于实际大位移视频序列.理论分析和实验结果表明,新方法能更加拟合人眼视觉信息处理特性,对视频序列具有普适、有效、鲁棒的运动感知性能

采用数值模拟方法对连铸电磁旋流水口内流体流动和夹杂物碰撞长大行为进行了研究.数值结果表明电磁旋流水口出口处流体流动扩张角与低熔点合金实验值相符.旋转磁场对浸入式水口内壁夹杂物沉积行为存在两个相反的作用:一方面旋转磁场作用加强了水口壁面处钢液的湍流流动,加速了夹杂物在水口内壁的沉积吸附速率;另一方面水口内壁附近夹杂物在旋转磁场产生的旋流作用下易被携带至水口中心,削弱了水口内壁对夹杂物的黏附.在上述两方面因素作用下,钢液区存在一个最佳磁感应强度可使水口内壁夹杂物沉积速率降至最低,从而减轻水口结瘤现象

机床是人类社会生产力发展的重要标志,随着科学技术的飞跃发展,各 机械制造业迅速发展,零件的形状越来越复杂,精度及有关的特殊要求越来越 高,数控机床及其应用技术应运而生并在生产实践中显示了优越和强大的生命 力 性质和任务 性质一一普及数控机床加工技术理论的技术基础课

利用背散射电子衍射微织构分析技术及X射线衍射织构分析技术,结合对取向硅钢薄带再结晶各阶段退火板磁性能的分析,系统研究了其形变再结晶过程中的组织及织构演变.结果表明,薄带内原始高斯晶粒取向发生绕TD轴向{111}〈112〉的转变,同时晶粒取向还表现出绕RD轴的附加转动,这种附加转动及其导致的表层微弱立方形变组织可为再结晶立方织构的形成提供核心.退火各阶段样品磁性能的变化对应了{110}-{100}〈001〉有益织构及其他织构的强弱转变以及再结晶晶粒不均匀程度的变化,综合织构类型及晶粒尺寸的变化推断发生了二次及三次再结晶过程.升温过程再结晶织构演变主要体现了织构诱发机制,也即与基体存在绕〈001〉轴取向关系的晶粒长大优势结合高斯织构的抑制效应发挥作用;而在高温长时间保温后三次再结晶过程,{110}低表面能诱发异常长大发挥主要作用使得最终得到锋锐的高斯织构

为了提高硫酸钾产品纯度和回收率,研究硫酸铵加入比以及氯化钠杂质对硫酸钾产品的纯度和回收率的影响,并用蔡司体式显微镜原位在线观察硫酸钾晶体的生长过程,以找到有利于硫酸钾晶体快速生长的条件.结果表明:氯化钾与硫酸铵化学计量比2KCl∶(NH4)2SO4为1∶1时,硫酸钾产品回收率达到80%左右;氯化钠杂质严重影响硫酸钾产品的纯度和回收率,降低产品质量;提高溶液中硫酸钾的过饱和度和溶液流速可以加快硫酸钾晶体的结晶生长

广播的特点:报道迅速、先声夺人;生动传真、感染力强:受众面广、渗透力大;顺序广播、转瞬即逝顺序广播、转瞬即逝。 1.选择性差:增强选择性采取办法:a延长播出时间,增办多套(台)节目b加强预告c精编节目,加大信息量,提供视听便利条件d安排正点新闻,重要节目重播

第一节概述 在食品的生产加工中,常常需要将流体 从低处输送到高处; 从低压送至高压; 沿管道送至较远的地方。 为达到此目的,必须对流体加入外功,以克服流体阻力及补充输送流体时所不足的能量。 为流体提供能量的机械称为流体输送机械

第一节贴钢法 第二节贴碳纤维布法 第三节锚喷混凝土加固拱桥

在生物学的研究中,有一个常用的方法,就是通过比较分析获取有用的信息和知识。达尔文正 是研究比较了 gal pagos finches同其它一些物种的形态学特征,从而提出了自然选择学说 今天,我们对基因和蛋白质序列进行比较,从本质上来讲是同达尔文一样,进行同样的分 析,只不过更加精细,更加详尽。在这个意义上,我们从核酸以及氨基酸的层次去分析序列 的相同点和不同点,以期能够推测它们的结构、功能以及进化上的联系。最常用的比较方法 是序列比对,它为两个或更多个序列的残基之间的相互关系提供了一个非常明确的图谱

一、汽油机的点火机理 在火花塞电极间加上高电压后,电极间的气体便发生电离现象, 所加电压愈高,气体电离的程度愈高当电压增高到一定值时, 火花塞两极间的间隙被击穿而产生电火花。使火花塞两电极之间 产生电火花所需要的最低电压,称为击穿电压。当火花塞间隙为 0.5~1.0mm时,发动机冷起动时所需击穿电压约7000~8000V,实 际工作电压一般在10000~15000V 击穿电压的高低与两电极之间的距离(火花塞间隙)、气缸内 压力和温度的大小有关