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清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)第五章 放大电路的频率响应自测题(童诗白、华成英)
文档格式:DOC 文档大小:83.5KB 文档页数:5
一、(1)A (2)B A (3)B A (4)C C 二、(1)静态及动态分析估算:
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)第3讲 半导体二极管
文档格式:PPT 文档大小:4.85MB 文档页数:13
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)第三章 多级放大电路自测题(童诗白、华成英)
文档格式:DOC 文档大小:67KB 文档页数:5
一、(1)× (2)√√ (3)√× (4)× (5)√ 二、(1)A A (2)D A (3)B A (4)D B (5)C B 三、(1)B D (2)C (3)A
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(PPT课件)第三章 半导体三极管及放大电路基础(3.4)小信号模型分析法
文档格式:PPT 文档大小:589.5KB 文档页数:14
1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定
南京邮电大学:《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第九章 部分习题(主讲:杨恒新)
文档格式:PPT 文档大小:161KB 文档页数:5
9-1OTL电路如图P9-1所示。已知Uc=UE=20V,负载R1=8,并忽略功率
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.3 场效应管放大电路——金属-氧化物-半导体场效应管
文档格式:PPT 文档大小:848KB 文档页数:13
4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理
珠海科技学院:《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件)第3章 半导体二极管
文档格式:PPT 文档大小:2.79MB 文档页数:49
3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.1 场效应管放大电路——结型场效应管
文档格式:PPT 文档大小:294.5KB 文档页数:9
• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数
山东理工大学:《模拟电子技术》课程教学资源(课件讲稿,打印版)第6章 集成运算放大器
文档格式:PDF 文档大小:3.91MB 文档页数:56
6.1集成运算放大器的特点及组成 6.2集成运算放大器的单元电路 6.3典型集成运算放大器介绍 6.4集成运算放大器的主要参数 6.5集成运算放大器的工作特性
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源_习题 3-5-4
文档格式:DOC 文档大小:306.5KB 文档页数:2
(1)Q 点; (2)电压增益 AV1=Vo1/Vs 和 AV2=Vo2/Vs; (3)输入电阻 Ri; (4)输出电阻 Ro1 和 Ro2
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