一、C上多项式 对于F[x]上的多项式f(x),它在F上未必有根, 那么它在C上是否有根? 定理1.8.1(代数基本定理): 每一个次数大于零的多项式在复数域上至多有 个根。 定理1.8.2:

一、电场线 电场线： 1、曲线上每一点的切线方向表示该点电场强度E的方向。描述电场分布情况的曲线。 2、曲线的疏密表示该点处场强E的大小。即：垂直通过单位面积的电场线条数，在数值上就等于该点处电场强度的大小

一、名词解释 VVM: Yx/s:: YP/: KL: kia::D: Derit Ks: Km: Yp/: Wmax; qco2:: td: YA;补料分批发酵;临界氧浓度:呼吸商:过滤效虑;雷诺准数:比热死速率常数(K) 活塞流反应器(PF);连续式全混流型反应器(CFSTR)返混连续培养;高密度培养; 补料培养:生产强度;固定化酶:固定化细胞;传氧效率

第三章3-3行列式的初步应用 3.3.1行列式的应用:用行列式求逆矩阵;克莱姆法则 定义设矩阵 a1a12…an A= a21a22…a an1an2…a 矩阵 . A12A22An2 : AnA2n…A 称为A的伴随矩阵。 由行列式的性质容易证得

§1 大气边界层及其特征 §2 边界层中风随高度的变化规律 §3 二级环流、Ekman 抽吸和旋转减弱 §4 Ekman 数和 Richardson 数

命题如果n维空间V上的线性变换A的矩阵相似于对角矩阵,则A在任一不变子空 间M上(的限制)的矩阵相似于对角矩阵。 证明若V上的线性变换A的矩阵相似于对角矩阵,则V可以分解为特征子空间的直 和。记A的所有特征值为,2,2,则V=V4V,取M=nV, 断言M=M1M2⊕M,首先要证明

文章总结了用第二相粒子细化晶粒的理论。比较了各种第二相粒子细化晶粒的效果,提出使用SiO2粒子细化HSLA钢晶粒的可能性。理论分析表明,在凝固过程中有可能获得较高的SiO2粒子体积分数。此外,还进行了实验室研究,得到了较小尺寸的SiO2粒子

1、线束的参数表示 定义2.3 设p1 , p2 , p3 , p4为线束S(p)中四直线，且p1≠p2，其齐 次坐标依次为a, b, a+λ1b, a+λ2b. 则记(p1p2 , p3p4 )表示这四直线构 成的一个交比. 定义为

2、甲基丙烯酸甲酯（M1）浓度=5mol/L，5-乙基-2-乙烯基吡啶浓度=1mol/L，竞聚率： r1=0.40，r2=0.69；a、计算聚合共聚物起始组成（以摩尔分数计），b、求共聚物组成与单体 组成相同时两单体摩尔配比

1. 确定近似函数的类型 （1）根据数据点的分布规律 （2）根据问题的实际背景 2. 确定近似函数的标准，实验数据有误差, 不能要求