1.1 方程求解方法 1.2 回归分析

人教版初中化学九年级下册第八单元 金属和金属材料课题2 金属的化学性质课件(4)

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

一、相图计算与绘制 二、 相图库系统 三、计算机相图解析计算

一、高聚物的基本概念和特征 高聚物是指由一种或几种低分子化合物（单体）聚合而成的高分子有机物质。通常包括塑料、橡胶和纤维三类

一、岩石的技术性质 (一)物理性质 (二)力学性质 (三)化学性质

1． 移植 人供体和动物供体的器官或组织替代同种异体移植—人供体（例如，肾脏，肝脏，心脏）异种移植—动物供体（例如，猪动脉瓣膜）优点：

1、复习上节课内容 2、讲述灌浆材料与灌注浆液的方法 3、讲述灌浆设备的原理，使用方法 4、小结本次课内容

1、复习上节课内容 2、讲述砌筑材料的分类、特点 3、讲述砌石工程的施工工艺 4、小结本次课内容

1、复习上节课内容 2、讲述爆破材料及起爆方法 3、讲述爆破施工 4、小结本次课内容