7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 74场效应晶体管及其放大电路 7.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

6.1电工仪表的类型、误差和准确度 6.2指针式仪表的结构及工作原理 6.3电流、电压、功率及电能的测量 6.4电阻的测量

运用循环伏安曲线、稳态极化曲线和Tafel曲线等电化学手段以及X射线光电能谱（XPS）法研究了辉铜矿在有菌和无菌体系下氧化过程的电化学行为.研究结果验证了辉铜矿在有菌体系和无菌体系下的两步氧化溶解机理，第一步氧化反应为辉铜矿不断氧化生成缺铜的中间产物CuxS（1≤x<2），直至生成CuS，在较低电位下即可进行；第二步反应为中间产物CuS的氧化，需要在较高电位下才可进行，反应速率较慢，是整个氧化反应的限制性步骤.循环伏安实验显示有菌体系电流密度明显大于无菌体系，表明细菌加快了辉铜矿的氧化速率.稳态极化实验显示辉铜矿点蚀电位较低，无菌体系第一段反应活化区电位范围小于有菌体系，表明辉铜矿氧化过程生成的中间产物硫膜具有钝化效应，细菌可以通过自身氧化作用破坏硫膜，减弱辉铜矿表面的钝化效果，加快辉铜矿的氧化溶解速率.X射线光电子能谱分析显示电极表面钝化层物质组成复杂，包含了CuS、多硫化物（Sn2-）、（S0）和含（SO42-）的氧化中间产物等多种物质，其中主要的钝化物为CuS，表明辉铜矿的氧化遵循多硫化物途径

一、教学基本要求 1、掌握三相电路的概念及对称三相电路的计算方法 2、了解不对称三相电路的概念 3、会计算三相电路的功率

10.1串联型稳压电源口 10.2开关型稳压电源原理口 10.3开关型稳压电源电路实例 10.4电源电路常见故障分析

1.1电路基本物理量 1.2电路基本元件 1.3基尔霍夫定律 1.4电路分析方法 1.5电路定理 1.6电路过渡过程分析

1.1电力电子器件概述 1.2不可控器件—二极管 1.3半控型器件晶闸管 14典型全控型器件 1.5其他新型电力电子器件 1.6电力电子器件的驱动 1.7电力电子器件的保护 1.8电力电子器件的串联和并联使用

2.1 等效电路分析法 2.2 支路电流分析法 2.3 网孔电流分析法 2.4 结点电压分析法 2.5 电路定理

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引言 4.1交流调压电路 4.2其他交流电力控制电路 4.3交交变频电路 4.4矩阵式变频电路