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郧阳师范高等专科学校:《C语言程序设计教程》第十章 字符串
文档格式:PPT 文档大小:112KB 文档页数:35
10.1用一个一维字符数组来存储字符串 一、字符串:一系列字符组成的字符系列。在C语言中所有以双引号括起来的字符都以字符串方式存储。如:\China\,“ am boy.,“a
《高等数学》课程教学资源:第一章 极限理论、函数的连续性(1.3)函数的连续性
文档格式:PPT 文档大小:524.5KB 文档页数:26
函数的连续性 一、函数的连续性 1函数的增量 设函数f(x)在U(x)内有定义,x∈Us(x)x=x-x,称为自变量在点x的增量
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:102.5KB 文档页数:3
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:194KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.理想情况下,差动放大器的差模输入电阻为( ) A.1 B.0 C.∞ D.100
安徽理工大学:《地质学基础》课程教学资源(教案讲义)第八章 地壳运动与地质构造
文档格式:DOC 文档大小:116KB 文档页数:12
大家已有了岩石的概念:岩浆、沉积岩、变质岩,它们是不同的地质作 用下形成的,岩浆岩中的侵入岩应地下形成,地表看不见。但现在大量突出 地表,甚至形成高山,如五台山等由侵入岩或其变质岩组成;沉积岩,原始 应水平沉积,地表大量倾斜、弯曲、断开
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:77KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.三极管β值是反映( )能力的参数。 A.电压控制电压 B.电流控制电流 C.电压控制电流 D.电流控制电压
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:126.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要提高放大电路的负载能力,可引入( ) A.串联负反馈 B.电压负反馈 C.并联负反馈 D.电流负反馈
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