本章学习目的及要求 弦交流电路的基本理论和基本分析 方法是学习电路分析的重要内容之一,应 很好掌握。通过本章的学习,要求理解正 弦交流电的基本概念:熟悉正弦交流电的 表示方法:深刻理解相量的概念,牢固掌 握单一参数及非单一参数的一般正弦交流 电路的分析与计算方法

主要内容: 一、电磁波的辐射及其计算公式 二、电磁波辐射基本单元的辐射特性 三、天线的一般概念及其主要参数 四、广义 Maxwell方程组及其应用 五、雷达概念及其工作原理

运用循环伏安曲线、稳态极化曲线和Tafel曲线等电化学手段以及X射线光电能谱（XPS）法研究了辉铜矿在有菌和无菌体系下氧化过程的电化学行为.研究结果验证了辉铜矿在有菌体系和无菌体系下的两步氧化溶解机理，第一步氧化反应为辉铜矿不断氧化生成缺铜的中间产物CuxS（1≤x<2），直至生成CuS，在较低电位下即可进行；第二步反应为中间产物CuS的氧化，需要在较高电位下才可进行，反应速率较慢，是整个氧化反应的限制性步骤.循环伏安实验显示有菌体系电流密度明显大于无菌体系，表明细菌加快了辉铜矿的氧化速率.稳态极化实验显示辉铜矿点蚀电位较低，无菌体系第一段反应活化区电位范围小于有菌体系，表明辉铜矿氧化过程生成的中间产物硫膜具有钝化效应，细菌可以通过自身氧化作用破坏硫膜，减弱辉铜矿表面的钝化效果，加快辉铜矿的氧化溶解速率.X射线光电子能谱分析显示电极表面钝化层物质组成复杂，包含了CuS、多硫化物（Sn2-）、（S0）和含（SO42-）的氧化中间产物等多种物质，其中主要的钝化物为CuS，表明辉铜矿的氧化遵循多硫化物途径

在电子电路中,放大电路 的应用是非常广泛的。在这一 章中,我们主要介绍基本放大 电路的结构、工作原理及性能 指标的分析计算方法

本章主要介绍了C55x处理器的程序基本结构，C语言编程以及优化，语言与汇编语言的混合编程，通用目标文件格式，最后对C55x处理器的数字信号处理库和图像、视频处理库进行了介绍。 4.1 C55x处理器程序基本结构 4.2 C语言程序开发及优化 4.3 C语言与汇编语言的混合编程 4.4 通用目标文件格式 4.5 C55x处理器的数字信号处理库和图像视频处理库

4. 1 偏置电路和耦合方式 4. 2 放大器的性能指标 4.3 基本组态放大器 4.4 差分放大器 4.5 电流源电路及其应用 4.6 集成运算放大器及集成功率放大器 4.7 放大器的频率响应 4.8 放大器的噪声

7.1 存储器的扩展 7.2 输入/输出及其控制方式 7.3 并行接口的扩展 7.4 8279接口芯片 7.5 显示器及键盘接口

键盘是计算机中使用最普遍的输入设备,它一般 由按键、导电塑胶、编码器以及接口电路等组成。 在键盘上通常有上百个按键,每个按键负责一 个功能,当用户按下其中一个时,键盘中的编码器 能够迅速将此按键所对应的编码通过接口电路输送 到计算机的键盘缓冲器中,由CPU进行识别处理。 通俗地说也就是当用户按下某个按键时,它会通过 导电塑胶将线路板上的这个按键排线接通产生信号 ,产生了的信号会迅速通过键盘接口传送到CPU中

（1）熟悉现金流量的概念； （2）熟悉工程项目投资概念及构成； （3）熟悉成本费用的概念及构成； （4）掌握工程项目的收入和销售税金及附加的计算； （5）掌握利润总额、所得税的计算及净利润的分配顺序； （6）熟悉经营成本、固定成本和变动成本、机会成本、沉入成本的概念； （7）熟悉资金时间价值的概念； （8）掌握资金时间价值计算所涉及的基本概念和计算公式； （9）掌握名义利率和实际利率的计算； （10）掌握资金等值计算及其应用

金属有机框架材料 (Metal-organic frameworks，MOFs）是一种新颖的多孔晶体材料，具有比表面积大、孔隙率高、结构可设计性强等优点，但是，MOFs的低电导率以及在电解液中的稳定性等问题限制了其作为电极材料的应用。近年来，如何结合MOFs的优势进行锂离子电池电极材料的设计与合成受到了越来越多的关注。目前，通过自牺牲得到的多孔碳骨架和金属化合物等MOFs衍生复合电极材料，不仅解决了电导率低的问题，而且保留了MOFs的高比表面积和复杂多孔结构，为锂离子的插入/脱出、吸附/解吸等过程提供了丰富的活性位点；与此同时，从结构单元和化学组成方面增加了材料结构的复杂性，开放性的孔隙结构可以缓冲体积膨胀带来的机械应力，对外来离子存储和多离子传输具有重要的意义。本文综述了MOFs及其衍生物在锂离子电池电极材料的设计和研究中取得的最新进展，重点阐述了针对锂离子电池电极材料的要求进行MOFs形貌控制和修饰的方法，以及具有多孔、中空或特殊结构的MOFs衍生电极材料的制备关键影响因素及其结构特性对电化学性能的影响。最后，分析了MOFs衍生电极材料的研究挑战和发展方向