2.1 放大的概念和电路主要指标 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路静态工作点的稳定 2.5 单管放大电路的三种基本接法 2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 2.7 场效应管放大电路

2.1 放大器概述 2.2 放大器基本分析法 2.3 晶体管偏置电路 2.4 晶体放大器的三种基本组态 2.5 场效应管放大器 2.6 有源负载放大器 2.7 多级放大器 2.8 放大器的表示法

本章简要介绍各种半导体，导电特性。 1.1 半导体基本知识 1.3 晶体管 1.4 光电器件 1.5 绝缘栅场效应管

1、实验准备及常规仪器设备使用 2、分立元件及负反馈放大电路设计 3、运放基本应用电路 4、测量放大器 5、晶体管输出特性曲线测试电路 6、LC三点式振荡器 7、模拟乘法器及调幅与检波电路

1. 研究意义 2. OTFT原理、制备及表征 3. OTFT传感器气敏特性测试 4. 结论与展望

8.1 OLED基础 8.2 OLED显示器的有源驱动技术 8.3 有机发光TFT 8.4 AMOLED像素补偿电路 8.5 AMOLED制造工艺技术

7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

§4-1 双极性结型晶体管 §4-2共射极放大电路 §4-3图解分析法 §4-4 小信号模型分析法 §4-5 放大电路的工作点稳定问题 §4-6 共集电极电路和共基极电路 §4-7放大电路的频率响应

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

电子科技大学：《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源（课件讲稿）第0章 绪论（The Principle and Technology of Thin Film Transistor）TFT的过去、现在和未来