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中国科学技术大学:《电子技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿,电路分析基础)第十二章 动态电路的相量分析法和s域分析法(拉普拉斯变换在电路分析中的应用——S域分析法)
文档格式:PPT 文档大小:842KB 文档页数:19
§12-1 拉普拉斯变换及其几个基本性质 §12-2 电路的S域模型 §12-3 零状态分析 §12-4 网络函数和冲激响应 §12-5 线性时不变电路的叠加公式
21 世纪高职高专会计专业主干课程:《管理会计》PPT教学课件(共十章)
文档格式:PPT 文档大小:2.31MB 文档页数:335
第一章 绪论 第二章 成本性态分析与变动成本计算 第三章 成本-业务量-利润依存关系分析 第四章 预测分析 第五章 决策分析的相关指标 第六章 短期经营决策分析 第七章 长期投资决策分析 第八章 全面预算 第九章 标准成本法 第十章 责任会计
二氯甲烷和甲苯对咪唑离子液体结构和性质及铝电沉积的影响
文档格式:PDF 文档大小:1.11MB 文档页数:11
离子液体电沉积铝技术具有广阔的应用前景,而添加剂是提高铝镀层性能的有效方法,但相关作用机制还有待明确。本文应用量子化学和分子动力学模拟研究了二氯甲烷(DCM)和甲苯(C7H8)对氯化-1-丁基-3-甲基咪唑/三氯化铝([BMIM]Cl/AlCl3)体系的微观结构、物理化学性质和铝电沉积的影响。发现DCM易与阴、阳离子形成氢键,分布在阴阳离子之间使得阴阳离子间距离增加、相互作用能减小, 导致阴阳离子扩散能力增强、铝配离子更倾向以${\\rm{A}}{{\\rm{l}}_2}{\\rm{Cl}}_7^ -$
华东理工大学:《高分子科学》课程教程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 自由基聚合(3-2)引发剂和引发反应
文档格式:PPT 文档大小:593KB 文档页数:40
3.2.1 引发剂的种类 3.2.2 引发剂分解动力学 (1) 引发剂分解速率 (2) 引发剂效率 (3) 引发剂的选择 3.2.3 其它引发作用 (1) 热引发聚合 (2) 光引发聚合 (3) 高能辐射引发聚合
山东理工大学:《电路》课程教学资源(课件讲稿)第14章 线性动态电路的复频域分析
文档格式:PDF 文档大小:403.19KB 文档页数:69
本章重点是运算阻抗的概念和运用拉普拉斯变换法分析线性电路,难点是运用拉普拉斯变换法分析线性分析。 ①拉普拉斯变换及其与电路分析有关的性质; ②反变换的方法; ③KCL、KVL和VCR的运算形式; ④拉氏变换在线性电路中的应用; ⑤网络函数的定义与含义; ⑥极点与零点对时域响应的影响; ⑦极点与零点与频率响应的关系
同济大学:《宝石学》第11章 其它有机宝宝石续
文档格式:DOC 文档大小:900KB 文档页数:9
1.1珊瑚(Cora1) 珊瑚,生活在海洋中,是一种十分美丽的动物。它固着在海底生活,外形象树枝,故又 称“石花”。它的骨骼五彩缤纷,千姿百态,略加修饰就是件高雅的装饰品。其中用作宝石 用的主要是红珊瑚所分泌的骨骼。红珊瑚的骨骼呈红色,十分艳丽,它是古今中外人人喜爱的宝石之一
成都理工大学:《大学物理》课程教学资源(PPT课件)第七章 气体动理论(7.7)分子平均碰撞次数和平均自由程
文档格式:PPT 文档大小:351KB 文档页数:5
7-7分子平均碰撞次数和平均自由程 自由程:分子两次相邻碰撞之间自由通过的路程
TC4钛合金压坯的吸氢行为
文档格式:PDF 文档大小:627.84KB 文档页数:5
利用管式氢处理炉研究了TC4钛合金压坯的温度-平衡氢分压关系以及吸氢动力学行为,测定了吸氢速率常数和激活能,并分析了吸氢反应各个阶段的反应机理.结果表明,随着吸氢温度的升高,达到平衡所需要的时间缩短,吸氢后的平衡氢分压升高.在350℃吸氢时,反应机制分别是形核长大、幂函数定律和三维扩散.在400℃吸氢时,反应机制分别是幂函数定律和三维扩散.在450~750℃吸氢时,反应机制均是三维扩散.TC4钛合金压坯吸氢反应的激活能为14.55kJ·mol-1
《理论力学》课程教学资源(PPT讲稿)第八章 分析动力学初步(8.1)约束、虚位移、D’Alembert-Lagrange原理
文档格式:PPT 文档大小:447.5KB 文档页数:31
8-1约束、虚位移、 D'Alembert- Lagrange原理 约束及其分类 约束:对质点系中质点的向径和速度的强制性的 限制条件。无论主动力如何变化,约束都必须得 到满足。无约束质系称为自由质系,有约束质系 称为非自由质系。 最一般的约表达式为
单晶硅氧化动力学及氧化膜结构分析
文档格式:PDF 文档大小:1.45MB 文档页数:7
用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理
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