第七章正弦稳态分析 7.1正弦量 7.2正弦量的相量表示法 7.3正弦稳态电路的相量模型 7.4阻抗和导纳 7.5正弦稳态电路的相量分析法 7.6正弦稳态电路的功率 7.7三相电路 7.8非正弦周期电路的稳态分析

6二阶电路分析 6-1RLC串联电路的零输入响应 6-2RLC串联电路在恒定激励下的零状态响应和全响应 6-3GCL并联电路分析 6-4一般二阶电路分析

线性网络的一般分析方法 电阻电路分析方法: 一、等效变换—求局部响应 二、一般分析方法—系统化求响应 三、网络定理

中国的页岩气田属于非常规气藏，采用体积压裂工程技术才可以实现有效开采。不过，页岩储层与一般储层的性质不同，纳米级孔隙大量分布，其孔隙和渗透率十分微小，同时还分布有微裂缝，气体在其中的流动具有解吸、扩散、滑脱和渗流等多种微观机理，并且呈现出基质?微裂缝?人工裂缝的跨尺度多流态流动。常规的油气开发理论与技术并不适用于页岩气藏，因此需要有针对性的研究，并建立页岩气开发的理论与技术，才能实现我国页岩气藏的高效地开发。从页岩气流动的基本规律出发，总结了页岩气流动的多流态?多尺度?多场耦合输运机理和渗流规律，归纳了考虑解吸?扩散?滑移?渗流的多尺度非线性渗流统一方程，给出了多尺度全流态图版。通过页岩气多级压裂水平井多区耦合非线性渗流理论、多场耦合非线性渗流理论，形成页岩气藏流场区域储量动用与开发动态变化规律，针对我国页岩气特点构建了页岩气产量递减模型。基于上述理论提出了开发设计方法，提出了我国储层分级评价及优选目标评价方法，并且建立了适合我国储层的分级评价及优选目标方法与指标，对中国页岩气压裂开发工艺适应性技术进展进行了归纳总结。在此基础上，对未来页岩气高效开发理论的发展方向进行了展望，以期对我国页岩气理论和技术研究提供指导

第三章线性网络的一般分析方法电阻电路分析方法: 一、等效变换求局部响应 二、一般分析方法—系统化求响应 三、网络定理

一、本章基本要求: 明确水分析化学的性质和任务,了解水质指标和水质标准,水样的采集、保存与预处理,理解水质分析分析结果的误差及其表示方法,掌握滴定分析对化学反应的要求及基准物质应具备的条件,掌握溶液浓度的表示方法及换算,正确使用有效数字,掌握水质分析结果的计算

7.1高位自动化仓库概述 7.1.1高位自动化仓库的产生和发展 7.1.2高位自动化仓库的分类 (1)按仓库的建筑形式分,可分为整体式和分离式2种。一般整体式高度在12m以上,仓库内的货架与建筑物构成一个不可分割的整体,外墙既是货架,又是库房屋顶的支撑。分离式多数高度在12m以下,但也有15m的,其货架是独立的,主要用于高度不大或已经有建筑物的情况

我国钢渣、赤泥、铜渣和部分铁合金渣年排放量在千万吨甚至亿吨级，难以大量用于传统的水泥、混凝土或道路工程领域，是难利用的大宗冶金固废。本文分析了以上典型冶金固废大宗资源化利用的现状，指出了制约大宗资源化利用的瓶颈问题；进一步提出砂石骨料、陶瓷材料、人造石材在我国具有年亿吨级乃至百亿吨级的市场需求，适合作为冶金固废利用的大宗量出口，并综述了这一领域冶金渣低成本制备烧结陶粒、冶金渣制备陶瓷和烧结砖、熔渣调质制备骨料以及熔渣人造石材制备等方面研究取得的进展，包括在新建年10万吨基于带式焙烧机原理的固废陶粒生产线上进行了赤泥掺加质量分数50%～65%的烧结陶粒工业化生产试验；分别掺入质量分数40%～60%的赤泥，30%～50%的钢渣，50%～80%的铜渣，先后完成了陶瓷砖和烧结砖的工业化中试以及工业化生产实验；加入质量分数12.96%的砂子对熔融电炉渣进行调质并制备砂石骨料、基于“Petrurgic”工艺的利用熔渣制备石材技术也完成了工业化和中试试验。在此基础上提出了固废的大宗量利用、协同利用、节能减碳利用和与智能化结合的资源化利用是这一领域技术发展的主要趋势

为提高遥感影像变质矿物提取精度，提升变质带的识别效果，以甘肃北山ASTER影像为研究区，结合了比值运算、多尺度分割、随机森林分类法进行变质矿物提取。首先，通过矿物特征性光谱特征构造比值运算公式、进行影像增强；然后，对增强影像进行基于光谱及变差函数的多尺度分割；接着，采用随机森林法提取目标矿物；最后，通过野外勘查、采样、薄片鉴定进行精度评价。结果表明，黑云母、白云母、角闪石在ASTER影像上具有鉴定性特征，提取精度分别为85.4088%、84.7640%和85.7308%；其他含量较少的变质矿物提取精度可达到60%以上。多尺度分割能充分利用矿物的丛集特征；变差函数纹理能增强形态特征对矿物的区分能力；随机森林分类法对矿物混合引起的噪声不敏感、提取结果稳定

利用背散射电子衍射技术对高速冲击前后高锰钢样品强制剪切区域的晶粒进行准原位观察,分析了剪切区域不同位置晶粒的相变情况,并借助有限元模拟及受力计算对不同晶粒相变程度差异的原因做了进一步分析.结果表明,在高速变形下,应力应变水平、奥氏体取向及晶粒间的相互作用共同影响TRIP行为:应力应变水平越高,相变程度越大;由于帽型样中剪切应力的存在,相比于近〈111〉取向奥氏体,近〈100〉和近〈110〉取向奥氏体相变程度更大,近〈110〉取向相变程度最大.具有有利取向的奥氏体,晶粒尺寸越大,其相变行为受周围晶粒影响越小,越容易充分相变;具有有利取向的长条状奥氏体晶粒,若其两侧晶粒难相变,则该晶粒相变将受到束缚;带有尖角的晶粒,变形时应力集中难以释放,易发生相变;当晶粒的孪生分力大于滑移,但其最大和次大的孪生分力相差不大,可能导致在这两个方向孪生互相竞争,反而不易相变.高速变形时体心马氏体多在晶界应力集中处产生,很少在晶粒内部大量产生,形态多为细片状,变体选择强