第九章拉普拉斯变换、卷积积分、状态方程 主要内容: (1)拉氏变换的定义及基本性质; (2)拉氏反变换方法(分解定理); (3)运算电路及初始条件的转换; (4)网络函数及零极点分析; (5)卷积积分; (6)状态方程的建立

习题一:1-4,1-5,1-6,1-7,1-9AD1-1 CAD1-1:用非线性VCVC实现一个幅度调制电路,如题图 CAD101所示。输入信号为两个不同频率的信号和, 输出实现两信号相乘,即EMOD=V1*V2。 设v1是50kHz的正弦信号,2是1kHz的调制信号。 要求得到标准调幅波SAM(调幅度mA=0.3和1.0) 抑制载波调幅波scAM 幅度键控调幅波ASK 并分析上述三种调幅波的特点

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

§2-1 半导体基础知识 §2-2 PN结的形成及特性 §2-3 半导体二极管 §2-4 二极管基本电路及其分析方法 §2.5 特殊二极管

15.1 数字系统的组成 15.2 多路数据采集系统 15.3 可编程时钟控制电路 15.4 可编程彩灯控制电路

6.1 非谐振功率放大器 6.2 谐振功放的工作原理 6.3 谐振功放的折线近似分析法 6.4 晶体管功放的高频特性 6.5 高频功放的电路组成（匹配） 6.6 丁类功放 6.7 传输线变压器 6.8 功率合成

10.3.1 二极管的结构 10.3.2 二极管的伏安特性 10.3.3 二极管的主要参数 10.3.4 二极管电路的分析

4.1 概述 4.2 丙类高频功率放大器的工作原理 4.3 丙类高频功率放大器的折线分析方法 4.4 丙类高频功率放大电路

第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线

21.1脉冲信号 21.2晶体管的开关作用 21.3分立元件门电路 21.4TTL门电路 21.5MOS门电路 21.6逻辑代数 21.7组合逻辑电路的分析与综合 21.8加法器 21.9编码器 21.10译码器和数字显示 21.10数据分配器和数据选择器 21.12应用举例