整数规划——变量只能取整数的规划问题。 当变量只能取0或1两个值， 称0-1规划。 整数规划分类： 纯整数规划——全部变量为整数。 混合整数规划——部分变量为整数。 本节主要介绍0-1规划的模型建立

为解决T6态高强铝合金强度高而耐蚀性难以满足使用需求，采用三级时效工艺来改善析出强化相特别是晶界析出相的形貌、尺寸、分布等，并通过研究不同回归处理制度对组织、性能的影响而获得适宜7B50铝合金中厚板的三级时效工艺.研究发现提高回归温度或延长回归时间均会使中厚板心部及表层组织的晶内和晶界析出相发生粗化并析出稳定η-MgZn2相，导致强度下降、电导率上升，其中回归温度对强度和电导率的影响显著.三级时效处理虽使晶内析出相尺寸有所增加，但却使T6态连续分布的晶界析出相呈断续分布，结合心部和表层强度及电导率测量结果认为合适的回归处理制度为165℃/6 h.然而，热轧引起中厚板表层较心部更为严重的变形使表层含有更多的亚晶或亚结构且其分布更均匀，从而使表层更快到达峰时效，进一步的回归再时效处理则使表层析出更多稳定η相，而η相的形成与晶内析出相的粗化长大是造成表层和心部强度差异的关键.虽然淬火/三级时效态表层和心部的晶粒结构存在差异，且局部出现亚晶合并长大，但其对强度的提升效果远低于表层析出稳定η相所引起的强度下降.可见，三级时效工艺并不能缓解7B50铝合金中厚板心部和表层的性能差异，但可使表层和心部的强度、电导率满足某实际工况要求

一、内能功和热量 理想气体内能EMiRT内能是状态量,是状态参量T的单值函数。实际气体内能:所有分子热运动的动能和分子间势能的总和。内能是状态参量T、V的单值函数

作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

动力学普遍定理 动力学普遍定理包括动量定理、动量矩定理 和动能定理。这些定理使某些与运动有关的物理 量,如动量、动量矩和动能,和某些与作用力有 关的物理量,如冲量、力矩和功等联系起来,建 立它们之间数量上的普遍关系。应用这些定理求 解质点和质点系的动力学问题,不但数学运算得 到简化,而且会使我们更深入地了解机械运动的 性质

研究了氧对Sm(Co,Fe,Cu,Zr)z永磁体性能的影响,并借助SEM、EDS和TEM等方法分析了永磁体的显微组织变化.讨论了影响磁体性能的原因.结果表明:在氧含量不高时(质量分数<0.32%)对磁性能的影响不明显,永磁体具有良好的磁性能;在0.32%~0.4%时,随氧含量的增加磁性能开始下降;氧含量大于0.4%后,磁性能急剧恶化;当大于0.7%后,磁性能基本消失.随着氧含量的增加,磁体的晶粒尺寸减小,以Sm2O3为主的白色析出物增多.非磁性相的增多和有效Sm含量的减少是影响磁性能的主要原因

普遍定理的综合应用 质点系的动量定理(质心运动定理)、动量矩定 理和动能定理统称为动力学普遍定理。动力学普 遍定理给出了描述质点系整体运动特征的物理量 (动量、动量矩和动能)与度量力对系统的作用效 应的物理量(力系的主矢和主矩、力的冲量和力的 功)之间的定量关系。动量定理(质心运动定理)和 动量矩定理为矢量形式而动能定理为标量形式。 动力学普遍定理的优越性主要体现在研究比较 复杂的系统动力学问题

计算机系统是一个数字系统、离散系统,而我们生 活的外部世界是一个模拟系统。为使计算机系统能够了 解外部世界,对外部事物进行处理,就必须有一个将模 拟量转换为数字量,将数字量转换为模拟量的接口,这 就是常说的A/D和DA 虽然模拟量是无限可分的

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

一、牧草及草坪草种子萌发的概念及萌发过程 二、牧草及草坪草种子萌发的生态条件 三、牧草及草坪草种子萌发的生理生化 四、牧草及草坪草种子萌发期间的呼吸途及能 量转化 五、牧草及草坪草种子种子萌发期间的呼吸强度与呼吸商