8.6多元函数微分学的几何应用 一、空间曲线的切线与法平面 二、曲面的切平面与法线

7.8空间直线及其方程 一、空间直线的一般方程 二、空间直线的对称式方程与参数方程 三、两直线的夹角 四、直线与平面的夹角 五、杂例

研究曲面的一种方法截痕法 了解曲面的形状的方法之一是用坐标面和平行于坐标面 的平面与曲面相截,考察其交线的形状,然后加以综合,从而了解曲面的立体形状.这种方法叫做截痕法

一、格林公式 二、平面上曲线积分与路径无关的条件 三、二元函数的全微分求积

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

17.1非线性电阻 17.2非线性电容和非线性电感 17.3非线性电路的方程 17.4小信号分析法 17.5分段线性化方法 17.6*工作在非线性范围的运算放大器 17.7阶非线性电路的状态平面 17.8*非线性振荡电路 17.9*混沌电路简介 17.10*人工神经元电路

一、力线平移定理 力线平移定理(参见教材43页叙述,对比理解):当把作用在物体上的力P平行移至物体上任一点时,必须同时附加一个力偶。此附加力偶矩等于力P对新作用点的力矩

§1-1 概述 §1-2 荷载的分类 §1-3 平面结构的支座及支座反力 §1-4 结构的计算简图 §1-5 杆件结构分类 §1-6 变形固体及其基本假定 §1-7 杆件的几何特性与基本变形形式

第3章草图 3.1草图的作用 3.2草图工作平面 3.3绘制草图 3.4编辑草图 3.5草图约束与定位

§1.1复数 §1.2平面点集 §1.3连续函数 §1.4解析函数 §1.5函数可导的充要条件 §1.6初等解析函数