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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)模拟集成电路 6.3 差分式放大电路的传输特性
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SEMICONDUCTOR Fast Switching Thyristor Replaces July 2001 version, DS4267-40 DS4267-41July2002 FEATURES KEY PARAMETERS Low Switching Losses At High Frequency
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管(自学)
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路(目录)
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Oxide Oxide Metallization Contact processing techniques that are similar to those of today's VLSI circuits, although the device geometry, voltage and current ntSource
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)双极结型三极管及放大电路基础(目录)
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)二极管及其基本电路 3.5 特殊二极管
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3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)二极管及其基本电路(目录)
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Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET
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