5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

第6章集成运算放大器的应用 6.1理想运放及运放工作的两个区战 6.2运放的线性应用电 6.3运放的线性应用电电压比较 6.4实际应用电举刚

一、零点漂移现象及其产生的原因 二、长尾式差分放大电路的组成 三、长尾式差分放大电路的分析 四、差分放大电路的四种接法 五、具有恒流源的差分放大电路 六、差分放大电路的改进

2.1 概论 2.2 放大电路的组成和工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 静态工作点的稳定 2.5 射极输出器 2.6 场效应管放大电路 2.7 多级阻容耦合多级放大电路

3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应

§2-1 网孔分析法 §2-2 节点分析法 §2-3 电路的对偶性 §2-4 含运算放大器的电阻电路

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

• 输入电阻 • 输出电阻 • 电压放大模型 • 电流放大模型 1.2.1 模拟信号的放大 1.2.2 放大电路模型 1.2.3 放大电路的主要性能指标 • 增益 • 互阻放大模型 • 互导放大模型 • 隔离放大电路模型 • 频率响应及带宽 • 非线性失真

3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应